谷川 庄一郎 | 筑波大学物質工
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
谷川 庄一郎
筑波大学物質工
-
谷川 庄一郎
筑波大物理工
-
谷川 庄一郎
筑波大物質工学
-
上殿 明良
筑波大数理
-
上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
-
谷川 庄一郎
筑波大学物理工学科
-
上殿 明良
筑波大学物理工学科
-
藤井 知
住友電工ダイヤSAWデバイス開発室
-
西山 樟生
東大理中間
-
上殿 明良
筑波大物理工
-
生形 友宏
筑波大物理工
-
鈴木 良一
電総研
-
鈴木 良一
筑波大学物質工学系
-
永嶺 謙忠
理研
-
門野 良典
理研
-
松下 明
理研
-
谷川 庄一郎
筑波大物質工
-
藤井 知
住友電工
-
西山 樟生
東大理 中間子
-
西山 樟生
東大理
-
谷川 庄一郎
筑波大物質
-
上殿 明良
東京大学先端科学技術研究センタ-
-
大平 俊行
産総研
-
村松 誠
筑波大物理工
-
渡辺 匡人
NEC
-
大平 俊行
電総研
-
三角 智久
電総研
-
谷野 浩敏
筑波大物質工
-
中野 明彦
STARC
-
山本 秀和
STARC
-
森下 憲雄
原研高崎研
-
伊藤 久義
原研高崎研
-
鹿田 真一
住友電工ダイヤSAWデバイス開発室
-
渡辺 匡人
NEC基礎研究所
-
市橋 鋭也
NEC基礎研究所
-
森 和照
筑波大学物質工学系
-
中居 克彦
新日本製鐡(株)先端技術研究所半導体基盤研究部
-
小林 直人
電総研
-
伊藤 久義
原子力機構
-
林 伸行
電総研
-
鈴木 良一
電子技術総合研究所
-
鈴木 良一
産業技術総合研究所
-
森下 憲雄
原子力研究開発機構
-
渡辺 匡人
学習院大学理学部
-
伊藤 久義
原研高崎
-
長谷川 雅孝
電総研
-
河野 孝央
筑波大学アイソトープセンター
-
鹿田 真一
住友電気工業(株)itコンポーネント事業部
-
藤井 知
住友電気工業(株)ITコンポーネント事業部
-
河野 孝央
アイソトープセンター
-
市橋 鋭也
Nec基礎・環境研究所
-
渡邉 匡人
学習院大 理
-
谷川 庄一郎
筑波大 物質
-
上殿 明良
筑波大学物理工学系
-
栗原 俊一
筑波大学物質工
-
渡辺 一裕
筑波大学物質工
著作論文
- 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
- 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
- SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
- 低速陽電子によるP注入SiCの欠陥検出と焼鈍特性の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- 陽電子寿命 - ドップラー拡がり相関測定によるポジトロニウムと分子の反応の解析
- 対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作
- 陽電子消滅による高分子のガラス転移と緩和現象の検出
- 表面近傍での陽電子の基本的挙動とそれらを利用した材料評価
- 陽電子消滅による高分子材料の評価
- 陽電子ビーム1.低速陽電子ビームの発生
- 陽電子消滅法による材料評価および低速陽電子ビーム技術の将来の展望
- 低速陽電子によるSiO_2膜の評価
- 29a-P-2 n型GaAs:Si中の水素状不純物(muon)の荷電状態と拡散性
- 13a-D-1 GaAs中のミュオニウムの量子拡散 : ドナー不純物の影響
- 31p-D-9 低速陽電子消滅法によるSi中のイオン照射効果
- 陽電子スペクトル - 陽電子消滅誘起オージェ分光,陽電子イオン化質量分析
- 自動温度可変消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作と金属の熱平衡状態測定への応用
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第4回)
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第3回)
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第5回)
- 31a-T-4 陽電子消滅による半導体の3次元電子運動量分布と点欠陥との関係(31aT 格子欠陥)