陽電子消滅法による材料評価および低速陽電子ビーム技術の将来の展望
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
- 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
- SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
- 低速陽電子によるP注入SiCの欠陥検出と焼鈍特性の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- 陽電子寿命 - ドップラー拡がり相関測定によるポジトロニウムと分子の反応の解析
- 対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作
- 陽電子消滅による高分子のガラス転移と緩和現象の検出
- 表面近傍での陽電子の基本的挙動とそれらを利用した材料評価
- 陽電子消滅による高分子材料の評価
- 27a-ZD-7 反射高速陽電子回折(RHEPD)装置の試作
- 28a-D-11 単色陽電子線による化合物半導体の格子欠陥の検出
- 28a-K-12 陽電子消滅法によるβ'-AgZnの3次元電子運動量分布の測定
- 28a-K-9 単色陽電子線によるW/Si界面反応の検出
- ZnSe単結晶内の点欠陥 : 評価I
- 27a-T-8 陽電子消滅によるCuの3次元運動量分布の測定
- 27a-T-7 陽電子消滅によるMgの3次元電子運動量分布の測定
- 27a-T-6 陽電子消滅によるV, Taの3次元電子運動量分布の測定
- 27a-T-5 単色陽電子線によるSi中の応力誘起酸素クラスターの検出
- 陽電子消滅によるAlの3次元電子運動量分布の測定
- 陽電子消滅によるCr,Wの3次元電子運動量分布の測定
- 陽電子消滅法によるCoのスピンに依存した電子運動量分布の測定
- 28a-K-12 陽電子消滅法によるβ'-AgZnの3次元電子運動量分布の測定
- ZnSe バルク単結晶の固相成長
- 28a-K-12 陽電子消滅法によるβ'-AgZnの3次元電子運動量分布の測定
- 陽電子ビーム1.低速陽電子ビームの発生
- 陽電子消滅の計測と得られる情報 1.二次元角相関
- 30a-F-10 2DACARによる六方晶遷移金属のフェルミ面の研究
- 30a-F-7 陽電子消滅二次元角相関法によるCeB_6の三次元運動量分布の再構成
- 28a-B-3 単結晶グラファイトによる陽電子消滅2次元角相関測定 II
- 2p-P-2 陽電子消滅二次元角相関によるTi,Ru,Reのフェルミ面
- 2a-C-5 Al,Cuの刃状転位近傍の2次元電子運動量分布
- 陽電子消滅法による材料評価および低速陽電子ビーム技術の将来の展望
- 低速陽電子によるSiO_2膜の評価
- 29a-P-2 n型GaAs:Si中の水素状不純物(muon)の荷電状態と拡散性
- 13a-D-1 GaAs中のミュオニウムの量子拡散 : ドナー不純物の影響
- 31p-D-9 低速陽電子消滅法によるSi中のイオン照射効果
- 陽電子スペクトル - 陽電子消滅誘起オージェ分光,陽電子イオン化質量分析
- 自動温度可変消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作と金属の熱平衡状態測定への応用
- 陽電子分光学とその応用
- 5p-PS-28 陽電子消滅による高温超伝導体のフェルミ面の決定
- 1a-SG-14 BGO64検出器陽電子消滅角相関装置の製作
- 1a-SG-13 陽電子消滅の温度・スペクトル2次元相関測定法の開発とAl合金中の熱平衡欠陥
- 4p-E4-1 電子リニアックを用いた低速陽電子の発化
- 2p-P-4 陽電子消滅二次元角相関による金属六ホウ化物のフェルミ面
- 陽電子を用いた表面解析 (物理表面の物理分析技術)
- 陽電子消滅によるSi結晶中の空孔型欠陥および酸素の挙動の評価
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第4回)
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第3回)
- 陽電子消滅による点欠陥の評価(第5回)
- 1p-W-7 陽電子消滅によるNbの3次元電子運動量分布の測定
- 2p-F-3 陽電子消滅による半導体中の3次元電子運動量分布と点欠陥の関係
- 6a-A3-2 酸素を含むSiの二次元角相関
- 28a-E-4 遷移金属の2DACAR
- 13p-B-9 六方晶金属の陽電子消滅2次元角相関
- 27a-J-6 ジルコニウム・ハイドライド中の正ミューオンの挙動
- 3p-S3-26 RB_6の2DACARによる再測定(焼鈍効果)
- 6a-A3-9 Al金属およびAl合金中における融点直下での陽電子消滅の異常II
- 6a-A3-8 陽電子消滅によるPb希薄合金中のatomic excitonの存在の確認II
- 28a-K-2 陽電子消滅によるPb希薄合金中のatomic exciton の存在の確認
- 28a-K-1 Al金属およびAl合金中における融点直下での陽電子消滅の異常
- 30p-RC-7 純Al金属と希薄合金の熱平衡における陽電子消滅ドップラーおよび寿命同時測定
- 2p-P-9 陽電子易動度,ポジトロニウム形成率の電場依存性の自動測定
- 31a-F-1 単色陽電子を用いたSiのイオン注入欠陥の検出
- 4a-NK-7 陽電子消滅の2次元測定におけるBGOシンチレーターの利点
- 3p-C-2 ガリウムの融解に伴う陽電子消滅特性の変化
- 3p-C-6 アルミニウム合金の高温陽電子消滅測定
- 3a-C-11 非化学量論組成BaTiO_3の陽電子消滅特性
- 27a-J-7 NaClの陽電子寿命・γ線エネルギーの相関
- 1p-M-7 Pb希薄合金の熱平衡陽電子消滅実験
- 2a-NJ-5 アルミニウム希薄合金におけるよう電子消滅法による熱平衡格子欠陥の研究 III
- 30a-G-3 陽電子消滅法によるアルミニウム希薄合金の複原子空孔生成に及ぼす不純物効果の検出
- 27p-U1-1 陽電子消滅2次元角相関法によるRB_6のフェルミ面の決定
- 11p-L-10 陽電子消滅スペクトル : 温度2パラメーター測定によるAl希薄合金,Pb希薄合金の溶質原子 : 空孔相互作用
- 27p-H-9 CsFを用いた高計数率陽電子寿命測定
- 27p-H-8 BGO 64検出器を用いた陽電子消滅γ-γ角相関測定
- 27p-H-7 低速陽電子ビームラインの製作
- 4a-NK-10 酸化物微粒子表面の陽電子消滅
- 27p-H-10 陽電子消滅2パラメーター測定によるポジトロニウムの挙動
- 2a-KL-9 陽電子消滅法によるInP単結晶の評価
- 2a-Z-11 単色陽電子線によるGaAs中の点欠陥の検出
- ポジトロン消滅と材料の解析
- 24p-T-3 薄膜の欠陥評価への低速陽電子線の応用
- 表面・界面プローブとしての低速陽電子
- 11p-A-12 低速陽電子装置による表面、界面研究法の開発
- 2p-TA-1 陽電子顕微鏡の開発の現状
- 低速陽電子ファクトリ- (電子・陽電子--極微の世界のス-パ-スタ-)
- 科学技術最先端シリ-ズ-5-レプトン応用計測
- 陽電子分光学とその応用
- 31a-T-4 陽電子消滅による半導体の3次元電子運動量分布と点欠陥との関係(31aT 格子欠陥)
- 28a-W-6 Al-Li-Cu準単結晶における陽電子消滅二次元角相関(28aW 金属,格子欠陥合同(準結晶))