伊藤 久義 | 原研高崎
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概要
関連著者
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伊藤 久義
原研高崎
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伊藤 久義
原子力機構
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伊藤 久義
原研高崎研
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森下 憲雄
原研高崎
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森下 憲雄
原研高崎研
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森下 憲雄
原子力研究開発機構
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磯谷 順一
筑波大図情メディア
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伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
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磯谷 順一
図情大
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伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
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吉川 正人
日本原子力研究所
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伊藤 久義
原研
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山崎 聡
産総研ナノテク部門
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岡田 漱平
原研高崎
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磯谷 順一
図書館情報大
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山崎 聡
筑波大学 電子・物理工学専攻
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大島 武
原子力研究開発機構
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大島 武
原研高崎
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水落 憲和
図情大
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瀧澤 春喜
原研高崎
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森田 洋右
原研高崎
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河裾 厚男
原研高崎
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岡田 漱平
日本原子力研究所・高崎
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奥村 元
産業技術総合研究所
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吉田 貞史
埼玉大学工学部
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梨山 勇
高信頼性部品(株)
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大島 武
原研
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奥村 元
産業技術総合研
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瀧澤 春喜
日本原子力研究所 高崎研究所
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Kawasuso A.
東北大金研
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河裾 厚男
日本原子力研究所・高崎
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山崎 聡
東芝メディカルシステムズ株式会社:jeita超音波専門委員会
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山崎 聡
Jrcat(アトムテクノロジー研究体)-nair(産業技術融合領域研究所)
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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長谷川 雅幸
東北大金研
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千葉 利信
東北大学金属材料研究所
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唐 政
東北大金研
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梨山 勇
原研高崎
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赤羽 隆史
無機材研
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千葉 利信
無機材研
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赤羽 隆史
Nims物質研
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赤羽 隆史
物質・材料研究機構
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赤羽 隆史
無機材質研究所
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神田 久生
無機材研
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須永 博美
原研高崎
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神田 久生
物材機構
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伊藤 久義
日本原子力研究所・高崎
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磯谷 順一
筑波大図情
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須永 博美
日本原子力研究所 高崎研究所
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水落 憲和
筑波大図書館情報メディア:jstさきがけ:産総研ナノテク部門
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須永 博美
原研 高崎研
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五十嵐 睦夫
群馬高専
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角谷 均
住友電工
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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上殿 明良
筑波大物理工
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生形 友宏
筑波大物理工
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谷川 庄一郎
筑波大物理工
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藤井 知
住友電工ダイヤSAWデバイス開発室
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鹿田 真一
住友電工ダイヤSAWデバイス開発室
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山本 明
高エ研
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土田 秀一
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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大畠 洋克
高エネルギー加速器研究機構
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米田 安宏
原子力機構
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田村 和久
原子力機構
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谷川 庄一郎
筑波大物質工学
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山本 明
高エネ研
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土田 秀一
電力中央研究所
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中本 建志
高エネルギー加速器研究機構J-PARCセンター 低温セクション
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水木 純一郎
原子力機構放射光:trip(jst)
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水木 純一郎
原研放射光
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中本 建志
KEK
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吉崎 亮造
筑波大物工
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米田 安宏
原子力機構・放射光科学研究ユニット
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中本 建志
高エネ研
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大畠 洋克
高エネ研
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荻津 透
高エネ研
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木村 誠宏
高エネ研
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槙田 康博
高エネ研
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出崎 亮
原子力機構
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森下 憲雄
原子力機構
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内田 裕久
東海大学工学部エネルギー工学科
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内田 裕久
東海大学工学部
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内田 裕久
東海大学大学院工学研究科応用理学専攻
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奥村 元
電総研
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吉田 貞史
電総研
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森下 憲雄
(独)本原子力開発機構 高崎量子応用研究所
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神谷 富裕
原研高崎研
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神谷 富裕
原研高崎
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荻津 透
高エネルギー加速器研究機構j-parcセンター 低温セクション
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森下 憲雄
日本原子力研究所
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磯谷 順一
筑波大知的セ
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山崎 聡
JRCAT-融合研
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大嶋 武
原研高崎
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山崎 聡
JRCA-融合研
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山崎 聡
融合研
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吉川 正人
原研高崎
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岡田 漱平
日本原子力研究所
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奥村 元
電子技術総合研究所
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阿部 浩之
原研高崎
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阿部 聖仁
東理大・理
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大久保 宜昭
筑波大物理
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大西 宏行
高エネルギー加速器研究機構j-parcセンター 低温セクション
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出崎 亮
JAEA
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大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
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浅井 圭介
東大院工
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高橋 芳浩
日本大学理工学部
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米田 安宏
原研放射光
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田村 和久
原研放射光
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森本 亮
東海大工
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内田 裕久
東海大工
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鹿田 真一
住友電気工業(株)itコンポーネント事業部
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梨山 勇
日本原子力研究所高崎研究所
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藤井 知
住友電気工業(株)ITコンポーネント事業部
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高橋 芳宏
日本大学電子工学科
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大西 一功
日本大学電子工学科
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高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
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大久保 宜昭
筑波大・物理
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水木 純一郎
日本原子力研究開発機構放射光科学研究ユニット
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石田 夕起
産業技術総合研究所
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直本 保
電力中央研究所
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土方 泰斗
埼玉大学工学部
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高橋 徹夫
産業技術総合研究所
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梅林 励
東大院工
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大畠 洋克
高エネルギー加速器研究機構j-parcセンター 低温セクション
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水木 純一郎
原子力機構・放射光科学研究ユニット
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八巻 徹也
原研高崎
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出崎 亮
原研高崎
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浅井 圭介
東大院工:crest
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梅林 励
東大院工:crest
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大島 武
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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山崎 聡
産総研一次世代半導体セ
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滝澤 春樹
原研高崎
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谷川 庄一郎
筑波大学物質工
著作論文
- 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
- J-PARCニュートリノビームライン用超伝導電磁石システム(13) : 有機材料の低温γ線照射効果
- 31pYG-4 SiC 中の浅いドナーのスピン緩和
- 27pYC-12 シリコンカーバイドにおける空孔欠陥のESRによる研究
- 24pYP-11 ESRによる6H-SiCの空孔クラスターの研究
- 26aYL-13 低温電子線照射による格子間原子型欠陥の探索
- 25p-T-3 電子線照射したp型6H-SiCの電子スピン共鳴
- 8p-S-7 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(IV)
- 21aYE-6 水素吸蔵Pdのイオンビーム照射効果(格子欠陥・ナノ構造(水素・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28aYC-11 ダイヤモンドへの高エネルギー燐イオン照射 : 照射損傷低減条件の探索
- 29p-D-7 ダイヤモンド結晶中のホウ素超微細相互作用を示す点欠陥
- 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- 高温イオン注入により導入した6H-SiC中のリン不純物の電気的活性化率と残留欠陥の関係 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- 28a-K-11 SiとSiCの陽電子消滅2次元角相関
- 30a-YC-10 SiCの陽電子消滅2次元角相関
- 六方晶炭化珪素半導体MOS構造のγ線照射効果 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
- 28p-YL-2 γ線を照射したNaNO_2の^Na-NMR
- 20aTG-2 アニオンドープされた酸化チタン(IV)の電子構造解析
- 7aSK-1 4H-SiC中におけるC3v対称を持つ電荷-1のSi単原子空孔のESRによる研究(格子欠陥・ナノ構造,領域10)