奥村 元 | 電総研

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概要

• 同名の論文著者
• 電総研の論文著者

関連著者

• 奥村 元

  電総研

• 権田 俊一

  電総研

• 伊原 英雄

  電総研

• 森下 憲雄

  原研高崎研

• 伊藤 久義

  原研高崎研

• 藤森 淳

  東大・理

• 梨山 勇

  原研高崎

• 藤森 淳

  無機材研

• 吉川 正人

  日本原子力研究所

• 伊藤 久義

  原子力機構

• 木村 錫一

  電総研

• 吉田 貞史

  電総研

• 岡田 漱平

  原研高崎

• 森下 憲雄

  原子力研究開発機構

• 森下 憲雄

  原研高崎

• 河裾 厚男

  原研高崎

• 吉川 正人

  原研高崎

• 岡田 漱平

  日本原子力研究所・高崎

• 奥村 元

  産業技術総合研究所

• 伊藤 久義

  原研高崎

• 吉田 貞史

  埼玉大学工学部

• 梨山 勇

  高信頼性部品(株)

• 千崎 清司

  電総研

• 奥村 元

  産業技術総合研

• Kawasuso A.

  東北大金研

• 木村 錫一

  愛媛大工

• 権平 俊一

  電総研

• 河裾 厚男

  日本原子力研究所・高崎

• 木村 錫一

  愛媛大

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著作論文

• 2a-D-5 PbTeの表面電子構造
• 2a-A-1 Nb_3Ge,Nb_3Sn表面酸化の光電子分光
• 8p-S-7 半導体SiC中の電子線照射欠陥の研究(IV)
• 2p-NM-12 Nb_3Ge,Nb_3Siの非晶質及びA15型結晶の光電子分光
• 極薄膜系におけるエキシトン超伝導(資料)
• 分子線エピタキシー法によるIII族窒化物のエピタキシャル成長 (特集:ワイドギャップ窒化物半導体)
• MBE成長GaNエピ膜の表面再配列構造とAsサーファクタント効果 (特集:ワイドギャップ窒化物半導体)
• 光伝導度とマイクロ波吸収によるCVD成長3C-SiCのキャリア寿命及び深い準位の研究 (耐放射線半導体基礎技術) -- (耐熱・耐放射線半導体材料の開発)
• 容量法によるGaAs/AlGaAsヘテロ構造の界面特性の測定 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)
• in-situ光電子分光法による界面形成過程,及び極薄膜の電子構造の評価 (超格子素子基礎技術) -- (極薄膜ヘテロ界面の構造と特性評価)

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