高橋 徹夫 | 産業技術総合研究所

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概要

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関連著者

• 奥村 元

  産業技術総合研究所

• 奥村 元

  産業技術総合研

• 石田 夕起

  産業技術総合研究所

• 高橋 徹夫

  産業技術総合研究所

• 土田 秀一

  財団法人電力中央研究所 材料科学研究所

• 土田 秀一

  電力中央研究所

• 吉川 正人

  日本原子力研究所

• 伊藤 久義

  原子力機構

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 久義

  原研

• 伊藤 久義

  原研高崎

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部

• 吉田 貞史

  埼玉大学工学部

• 直本 保

  電力中央研究所

• 土方 泰斗

  埼玉大学工学部

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著作論文

• 炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
• 減圧CVD法によるSi基板上3C-SiCヘテロエピタキシャル成長膜の表面モフォロジー (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
• Si基板上3C-SiCヘテロエピタキシャル膜の成膜機構及びそのショットキー障壁特性 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)

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