伊藤 久義 | 日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
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概要
関連著者
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伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
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伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
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伊藤 久義
原研
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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大島 武
原子力研究開発機構
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大島 武
原研
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伊藤 久義
原子力機構
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大島 武
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
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吉田 明
豊橋技科大
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学
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吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
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吉田 明
豊橋技術科学大学
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吉田 明
神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム
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中西 康夫
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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中西 康夫
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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岡田 漱平
日本原子力研究所・高崎
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岡田 漱平
日本原子力研究所
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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伊藤 久義
原研高崎
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伊藤 久義
原研高崎研
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岡田 浩
豊橋技術科学大学
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大島 武
原研高崎
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河裾 厚男
日本原子力研究所・高崎
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河裾 厚男
日本原子力研究開発機構先端基礎研
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吉川 正人
日本原子力研究所
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磯谷 順一
筑波大図情メディア
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藤田 尚樹
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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李 海錫
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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伊藤 久義
日本原子力研究所・高崎
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梨山 勇
日本原子力研究所高崎研究所
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山本 鉄隆
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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田中 徹
豊橋技術科学大学 工学部
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李 海錫
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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田中 徹
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
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Kawasuso A.
東北大金研
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山本 鉄隆
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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藤田 尚樹
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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森下 憲雄
原研高崎研
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岩見 基弘
岡山大理
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岩見 基弘
岡大物理
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森下 憲雄
原子力研究開発機構
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森下 憲雄
原研高崎
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磯谷 順一
図情大
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大嶋 武
原研高崎
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奥村 元
産業技術総合研究所
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松田 純夫
宇宙開発事業団
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根本 規生
宇宙開発事業団
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本川 和之
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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吉田 貞史
埼玉大学工学部
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奥村 元
産業技術総合研
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田中 礼三郎
岡大物理
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松田 純夫
宇宙航空研究開発機構総合技術研究本部
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本川 和之
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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角谷 均
住友電工
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中野 逸夫
岡山大自然科学
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土田 秀一
財団法人電力中央研究所 材料科学研究所
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岩見 基弘
岡山大自然
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土田 秀一
電力中央研究所
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田中 淳
日本原子力研究所高崎研究所
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石本 貴幸
日本原子力研究所先端基礎研究センター
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石本 貴幸
原研先端研
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山崎 聡
産総研ナノテク部門
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杉本 憲治
宇宙開発事業団
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海野 義信
高エ研
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寺田 進
高エ研
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新藤 浩之
宇宙航空研究開発機構
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大井 暁彦
産総研
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池上 陽一
高エ研
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神谷 富裕
原研高崎研
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神谷 富裕
原研高崎
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神田 久生
無機材研
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神田 久生
物材機構
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磯谷 順一
筑波大知的セ
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水落 憲和
図情大
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山崎 聡
JRCAT-融合研
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瀧澤 春喜
原研高崎
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森田 洋右
原研高崎
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奥村 元
電子技術総合研究所
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久保山 智司
宇宙開発事業団
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松崎 一浩
宇宙開発事業団
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阿久津 亮夫
宇宙開発事業団
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大西 一功
日本大学理工学部電子情報工学科
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高橋 芳浩
日本大学理工学部
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久保山 智司
宇宙航空研究開発機構
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伊藤 久義
日本原子力研究開発機構
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南波 秀樹
日本原子力研究開発機構
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平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構
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梨山 勇
高信頼性部品(株)
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杉本 憲治
高信頼性部品(株)
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新藤 浩之
宇宙開発事業団
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高橋 芳宏
日本大学電子工学科
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大西 一功
日本大学電子工学科
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平尾 敏雄
日本原子力研究開発機構:日本大学
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高橋 芳浩
日本原子力研究開発機構:日本大学
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山崎 聡
筑波大学 電子・物理工学専攻
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横山 拓郎
岡大物理
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中野 逸夫
岡大物理
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木下 明将
産総研
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福島
高工研
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海野 義信
高工研
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寺田 進
高工研
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池上 陽一
高工研
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石田 夕起
産業技術総合研究所
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直本 保
電力中央研究所
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土方 泰斗
埼玉大学工学部
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高橋 徹夫
産業技術総合研究所
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乗松 健治
岡山大自然
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田中 礼三郎
岡山大自然
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大井 暁彦
岡山大自然
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須永 博美
日本原子力研究所 高崎研究所
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瀧澤 春喜
日本原子力研究所 高崎研究所
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益野 真一
日本原子力研究所高崎研究所
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水落 憲和
筑波大図書館情報メディア:jstさきがけ:産総研ナノテク部門
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須永 博美
日本原子力研究所高崎研究所
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河裾 厚男
日本原子力研究所高崎研究所
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内藤 一郎
高信頼性部品株式会社
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山崎 聡
東芝メディカルシステムズ株式会社:jeita超音波専門委員会
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松田 純夫
宇宙開発事業団技術研究部
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南波 秀樹
日本原子力研究所高崎研究所
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松崎 一浩
宇宙開発事業団 電子・情報系技術研究部
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平尾 敏雄
日本原子力研究所 高崎研究所
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平尾 敏雄
原研
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田中 淳
日本原子力研究開発機構
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山崎 聡
Jrcat(アトムテクノロジー研究体)-nair(産業技術融合領域研究所)
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中野 逸夫
岡山大自然
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前川 雅樹
日本原子力研究開発機構 先端基礎研
-
前川 雅樹
日本原子力研究所高崎研究所
著作論文
- 31pYG-4 SiC 中の浅いドナーのスピン緩和
- 27pYC-12 シリコンカーバイドにおける空孔欠陥のESRによる研究
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- 量子ビームが切り拓く未来(II) : バイオ・環境・エネルギーに貢献する荷電粒子・RI利用研究
- 民生用DRAMに対する低ドーズ率ガンマ線照射試験
- 28aYC-11 ダイヤモンドへの高エネルギー燐イオン照射 : 照射損傷低減条件の探索
- 炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 24pZB-7 SiC半導体検出器の分光感度測定(半導体検出器,素粒子論)
- 炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- 25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発
- SiC半導体へのイオン注入による不純物ドーピング
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- 高温イオン注入により導入した6H-SiC中のリン不純物の電気的活性化率と残留欠陥の関係 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- 27pXC-9 静電場方式による陽電子ビーム装置の開発と評価
- 半導体SiC中の電子線照射欠陥(II)
- 3a-M-12 半導体SiC中の電子線照射欠陥
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- 民生部品のシングルイベント耐性に関する評価
- 第7回原子力先端研究国際シンポジウム「加速器ビーム利用研究の新たな進展」印象記
- エアランゲン大学/応用物理学講座を中心に
- 24pXR-10 短パルス陽電子ビーム形成装置の製作(24pXR 格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性分野))