炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)

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概要

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• 宇宙環境で使用される半導体素子には, 高温での素子動作ばかりでなく強い耐放射線性が要求される。今回我々は, 広いバンドギャップをもつ炭化けい素半導体を用いて作製したMOS構造素子のγ線照射効果を調べた。また酸化膜中の電荷分布の照射による変化も併せて調べ, γ線照射効果のメカニズムを追求した。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-01-25

著者

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 吉川 正人

  日本原子力研究所

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 奥村 元

  産業技術総合研究所

• 奥村 元

  電子技術総合研究所

• 大西 一功

  日本大学理工学部電子情報工学科

• 高橋 芳浩

  日本大学理工学部

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

• 伊藤 久義

  原研高崎

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部

• 吉田 貞史

  埼玉大学工学部

• 梨山 勇

  高信頼性部品(株)

• 梨山 勇

  日本原子力研究所高崎研究所

• 高橋 芳宏

  日本大学電子工学科

• 大西 一功

  日本大学電子工学科

• 高橋 芳浩

  日本原子力研究開発機構:日本大学

• 奥村 元

  産業技術総合研

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