分子線エピタキシー法によるIII族窒化物のエピタキシャル成長(<小特集>III族窒化物半導体の結晶成長はどこまで進んだか)奥村,元
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概要
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Present status of III-nitride epitaxial growth technique by molecular beam epitaxy (MBE) is reviewed. Recent development of growth facilities including effective nitrogen sources have enabled us to obtain high growth rate, well-defined flat surfaces etc., which resuls in better understandings of growth mechanism and surface phenomena of III-nitrides. Owing to the understandings of these information on MBE growth of III-nitrides, the quality of MBE-grown III-nitride epilayers has been so much improved to be comparable to that of MOCVD-grown epilayers. Device application using MBE-grown III-nitride epilayers is also shown, and several problems to be solved in MBE are discussed.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1998-06-30
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