SiC-MOSゲート構造の高信頼性化(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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超低損失SiC-MOSパワーデバイスの実用化のため,SiC-MOS構造の高性能・高信頼性化は重要な課題である.我々はSiC-MOS構造の高性能・高信頼性化技術の確立を目指し,SiC-MOS構造の電気特性へのデバイスプロセス及びウエハ品質の影響について考察した.その結果,高温DRY熱酸化や熱酸化膜形成後の窒化・水素処理を用いることによりSiC-MOS特性向上を実現した.また,転位やSiCエピタキシャル膜表面欠陥がSiC熱酸化膜信頼性の低下要因であることを見出した.最後にSiC熱酸化膜信頼性に対するCMP処理によるSiCウエハ表面平坦化の効果について検討した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-06-11
著者
-
田中 保宣
産業技術総合研究所
-
奥村 元
産業技術総合研
-
先崎 純寿
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
-
下里 淳
産業技術総合研究所 パワーエレクトロニクス研究センター
-
奥村 元
産業技術総合研究所先進パワーエレクトロニクス研究センター
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