4H-SiC基板上に形成された熱酸化膜の高信頼化技術(<特集>化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
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概要
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超低損失SiC MOSパワーデバイスの実用化のため,オン抵抗の低抵抗化とともにSiC熱酸化膜の高信頼化は重要な課題である.我々は,SiC熱酸化膜の高信頼化技術の確立を目指し,SiC熱酸化膜の信頼性に対するデバイスプロセス及びSiC基板品質の影響について考察した.その結果,SiC MOS界面欠陥の水素終端処理によりSiC熱酸化膜の信頼性向上を実現した.また,SiCエピタキシアル層内の金属不純物や転位欠陥がSiC熱酸化膜の信頼性を低下させることを見出した.最後に,SiC熱酸化膜の加速寿命試験に用いられる温度と電界の加速因子について検討した.
- 2006-09-01
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