イオン注入及び注入後熱処理した3C-SiC中の残留欠陥の研究 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)

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概要

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• 電子技術総合研究所の論文

著者

• 上殿 明良

  筑波大数理

• 上殿 明良

  筑波大学電子物理工学系

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 伊藤 久義

  日本原子力研究所高崎研究所

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