大島 武 | (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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概要
関連著者
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大島 武
(独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門
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大島 武
日本原子力研究開発機構
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大島 武
原子力研究開発機構
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大島 武
原研
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伊藤 久義
日本原子力研究所高崎研究所
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伊藤 久義
原研
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伊藤 久義
日本原子力研究所 高崎研究所 材料開発部
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
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吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
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吉田 明
豊橋技科大
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吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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吉田 明
豊橋技術科学大学
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伊藤 久義
原子力機構
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吉田 明
神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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岡田 浩
豊橋技術科学大学
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中西 康夫
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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中西 康夫
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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大嶋 武
原研高崎
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佐藤 真一郎
日本原子力研究開発機構
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岩見 基弘
岡山大理
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岩見 基弘
岡大物理
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古川 雄三
豊橋技術科学大学 工学研究科
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藤田 尚樹
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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李 海錫
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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近藤 正樹
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
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秦 貴幸
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
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田中 礼三郎
岡大物理
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山本 鉄隆
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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李 海錫
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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古川 雄三
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
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古川 雄三
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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山本 鉄隆
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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藤田 尚樹
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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近藤 正樹
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学
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秦 貴幸
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学
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岡田 浩
豊橋技術科学大学 工学部
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伊藤 久義
原研高崎研
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大井 暁彦
産総研
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大島 武
原研高崎
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本川 和之
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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中野 逸夫
岡大物理
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木下 明将
産総研
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本川 和之
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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中野 逸夫
岡山大自然科学
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岩見 基弘
岡山大学理学部界面科学研究室
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岩見 基弘
岡山大自然
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木下 明将
岡山大学理学部
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木下 明将
岡山大学 理
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岩見 基弘
岡山大学 理
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吉川 正人
日本原子力研究所
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海野 義信
高エ研
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寺田 進
高エ研
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池上 陽一
高エ研
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中野 逸夫
岡山大学
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神谷 富裕
日本原子力研究開発機構高崎量子応用研究所
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岡田 漱平
日本原子力研究所・高崎
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岡田 漱平
日本原子力研究所
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伊藤 久義
原研高崎
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横山 拓郎
岡大物理
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福島
高工研
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海野 義信
高工研
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寺田 進
高工研
-
池上 陽一
高工研
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乗松 健治
岡山大自然
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田中 礼三郎
岡山大自然
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大井 暁彦
岡山大自然
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田中 徹
豊橋技術科学大学 工学部
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中野 逸夫
岡山大学大学院 自然科学研究科
-
田中 礼三郎
岡山大学大学院 自然科学研究科
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小林 健一
岡山大学
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大井 暁彦
日本原子力研究所
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福島 靖孝
高エ研
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田中 徹
(株)富士通研究所シリコンテクノロジ研究所
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神谷 富裕
日本原子力研究所
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中野 逸夫
岡山大自然
著作論文
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 24pZB-7 SiC半導体検出器の分光感度測定(半導体検出器,素粒子論)
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- 25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発
- SiC半導体へのイオン注入による不純物ドーピング
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- 高温イオン注入により導入した6H-SiC中のリン不純物の電気的活性化率と残留欠陥の関係 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- 30pZA-5 SiC半導体粒子検出器の研究・開発(半導体検出器)(素粒子実験)
- 放射線による半導体デバイスへの影響