古川 雄三 | 豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

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概要

• 同名の論文著者
• 豊橋技術科学大学 電気・電子工学系の論文著者

関連著者

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 米津 宏雄

  Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology

• 米澤 宏雄

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 米津 宏雄

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学 工学部

• 梅野 和行

  豊橋技術科学大学

• 金 聖晩

  豊橋技術科学大学

• 光吉 三郎

  豊橋技術科学大学

• 浦上 法之

  豊橋技術科学大学

• 佐藤 淳

  豊橋技術科学大学 工学部

• 島田 英里

  豊橋技術科学大学 工学部

• 箕原 大介

  豊橋技術科学大学 工学部

• 文 秀榮

  豊橋技術科学大学

• 山根 啓輔

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 太田 成人

  豊橋技術科学大学

• 森崎 祐二

  豊橋技術科学大学

• 石地 正義

  豊橋技術科学大学

• 佐藤 真一郎

  日本原子力研究開発機構

• 大島 武

  日本原子力研究開発機構

• 善積 祐介

  豊橋技術科学大学工学研究科

• 大島 武

  原子力研究開発機構

• 大嶋 武

  原研高崎

• 百瀬 賢治

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 澤 伸也

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 安部 浩史

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 澤 伸也

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 安部 浩史

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 西尾 公裕

  豊橋技術科学大学電気・電子工学

• 田中 誠造

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 野口 健太

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 出口 裕輝

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 近藤 正樹

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 秦 貴幸

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 若原 昭浩

  電気・電子工学系

• 今西 友晴

  電気・電子工学系

• 金 聖晩

  電気・電子工学系

• 古川 雄三

  電気・電子工学系

• 米津 宏雄

  電気・電子工学系

• 西尾 公裕

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 野間 亮佑

  豊橋技術科学大学

• 泉 佳太

  豊橋技術科学大学工学部

• 内海 淳志

  豊橋技術科学大学工学部

• 百瀬 賢治

  豊橋技術科学大学工学研究科

• 近藤 正樹

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学

• 秦 貴幸

  豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学

• 大島 武

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 内海 淳志

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 内海 敦志

  豊橋技術科学大学工学研究科

• 高崎 哲

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• Kariyawasam Amal

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• Amal Bandula

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

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著作論文

• 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 生体の視覚情報処理機能に学んだ広ダイナミックレンジを有するエッジ検出回路
• 高窒素組成GaAs_yP_N_xおよびIn_zGa_P_N_xの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 高窒素組成GaAs_yP_N_xおよびIn_zGa_P_N_xの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• 高窒素組成GaAs_yP_N_xおよびIn_zGa_P_N_xの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたInGaPN/GaPN量子井戸構造
• 格子整合系InGaPN/GaPの光学特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 格子整合系InGaPN/GaPの光学特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• 格子整合系InGaPN/GaPの光学特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
• Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
• 網膜に学んだ広ダイナミックレンジを有するエッジ検出機構のアナログ集積回路化(企画セッション : ニューロハードウェア)
• 網膜に学んだ広ダイナミックレンジを有するエッジ検出機構のアナログ集積回路化
• Si/III-V-N光電子集積回路に向けたMOSFETおよびLEDの作製
• CS-5-3 Si基板上への無転位III-V-N混晶層のヘテロエピタキシャル成長(CS-5.異種材料融合デバイス技術,シンポジウム)
• 03aB06 III-V-N混晶-シリコン構造を用いたモノリシック光電子融合システムの開発(光・電子集積回路(OEIC)時代をひらく結晶成長技術,ナノ・エピ分科会シンポジウム,第36回結晶成長国内会議)
• 昆虫の視覚情報処理機構に学んだ動き検出機能のアナログ電子回路化
• CI-3-5 格子整合系GaNP/Si発光デバイスを用いた光・電子集積(CI-3.シリコンフォトニクスに関わるアクティブデバイス,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)

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