格子整合系InGaPN/GaPの光学特性(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
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概要
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GaPNやInGaPNは組成をコントロールすることでSiに格子整合可能であり, 無転位な高品質InGaPNヘテロエピ層が実現可能である。これによりSi系デバイスとInGaPN系発光デバイスを融合させた光電子集積回路が可能となる。しかし、Siに格子整合したInGaPNのバンド構造および光学定数はよく分かっていないのが現状である。本研究では, 格子定数が一定となるInGaPNの基礎的な特性を明らかにするため, GaP基板に格子整合したInGaPNを作製し, その光学特性の組成依存性を調べ, InGaPNのバンド構造の検討を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-05-20
著者
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
米津 宏雄
Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology
-
金 聖晩
豊橋技術科学大学
-
古川 雄三
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
古川 雄三
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
若原 昭浩
電気・電子工学系
-
今西 友晴
電気・電子工学系
-
金 聖晩
電気・電子工学系
-
古川 雄三
電気・電子工学系
-
米津 宏雄
電気・電子工学系
-
米澤 宏雄
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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