高窒素組成GaAs_yP_<1-x-y>N_xおよびIn_zGa_<1-z>P_<1-x>N_xの低温成長と原子状水素照射による結晶性の向上(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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概要

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高窒素組成を有するIII-V-N混晶の高品質化を目的に、原子状水素照射下での低温成長を試みた。GaP_<1-x>N_<_x>混晶の成長では、250℃の低温成長によって、9%の高窒素組成が得られた。GaAs_yP_<1-x-y>N_x層およびIn_zGa_<1-z>P_<1-x>N__x層の成長では、350℃で成長することにより、7%の窒素組成を有する混晶が、構造的な結晶性の良い状態で得られた。また、原子状水素照射下の成長では二次元成長が維持され、原子状水素非照射で成長した場合に発生した多数の構造欠陥は消滅し、構造的な結晶性が著しく向上した。これらのことから、原子状水素照射下での低温成長が、高窒素組成を有するIII-V-N混晶の成長に対して有効であることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2003-05-08

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