歪短周期超格子の挿入によるInP-on-Siの貫通転位密度の低減
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概要
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InP-on-Siヘテロエピタキシーの最大の問題点は格子不整合が8%と大きいことである。そこで、InP-on-Siとほぼ同じ格子不整合を有するInP-on-GaPにおいてInPエピ層の成長様式と貫通転位発生の関係をRHEEDとTEMを用いて調べた。その結果、InP層は1〜2MLで二次元成長から三次元成長へ移行した。また、貫通転位は3〜4MLで発生した。この結果は、貫通転位が三次元成長島の拡大または合体の過程で発生することを示唆する。したがって、エピ層の三次元化を抑制することで貫通転位の発生を低減できると考えられる。そこで、InP-on-Siに対して、格子緩和後も二次元成長を維持する歪短周期超格子(SSPS)を導入し、エピ層の三次元化を抑制することを試みた。その結果、エピ層は二次元的に成長し、貫通転位密度の明らかな低減がみられた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-18
著者
-
朴 康司
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
朴 康司
豊橋技術科学大学第3工学系
-
大島 直樹
豊橋技術科学大学 知識情報工学系
-
高木 康文
浜松ホトニクス株式会社
-
米津 宏雄
豊橋技術科学大学 工学研究科
-
米津 宏雄
Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology
-
大島 直樹
豊橋技科大
-
高木 康文
豊橋技術科学大学 工学部
-
左文字 克哉
豊橋技術科学大学 工学部
-
林田 圭司
豊橋技術科学大学第三工学系
-
大島 直樹
豊橋技術科学大学 情報・知能工学系
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