低エネルギー集束イオンビームを用いたGaAsのマスクレス選択成長におけるドーピングと評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))

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概要

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III族源であるGaイオン源に不純物を直接添加したSn-GaおよびBe-Ga集束イオンビーム(FIB)とV族源であるAs_4分子線を同時照射することでn-GaAsおよびp-GaAsのマスクレス選択成長を実現した。また、V-I測定により選択成長層の抵抗率を調査し、イオンビーム入射エネルギー依存性を調べたところ、入射エネルギー30ev〜60eVのとき最も良い結晶性と抵抗率が得られることが分かった。その後、室温でホール測定を行った結果、SnドープGaAs選択成長層のキャリア密度は2.7×10^<17> cm^<-3>、ホール移動度2170 cm^2/Vsecであり、BeドープGaAs選択成長層のキャリア密度は1.32×10^<18>cm^<-3>、ホール移動度は35.6cm^2/Vsecであった。以上の結果からドーピングの効果を確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2003-05-08

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