MBE法によるInP(100)基板上のSiヘテロエピタキシー(<特集>ヘテロエピタキシー機構)

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概要

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• Si heteroepitaxial layers were grown on InP (100) substrates by molecular beam epitaxy. The initial growth process of Si/InP was investigated by the in-situ observations of the reflection high energy electron diffraction (RHEED). During the Si growth, a (3×1) streaky pattern appeared and two-dimensional growth mode occurred up to 2 monolayers (ML) thick growth. With further growth, the RHEED internsity oscillations disappeared although the (3×1) streaky pattern was maintained up to 〜10 ML. A surface segregation of In atoms during the Si growth was observed by secondary ion mass spectroscopy. From these results, we proposed a model for the initial growth process of the Si on InP heteroepitaxy.

• 1993-12-25

著者

• 朴 康司

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 朴 康司

  豊橋技術科学大学第3工学系

• 米津 宏雄

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 米津 宏雄

  Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology

• 丸山 裕之

  豊橋技術科学大学第3工学系

• 榊原 健二

  豊橋技術科学大学第3工学系

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