低エネルギーInGa-FIBによるIn_xGa_<1-x>Asのマスクレス選択成長

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概要

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低エネルギーInGa集束イオンビーム(FIB)を用いたInGaAsのマスク選択成長の実現を目的とした。In_<0.15>Ga_<0.85>液体合金イオン源の充填を行い、合金イオン源の温度を変化させ、In_xGa_<1-x>Asのマスクレス選択成長を行った。AESで成長層のIn組成変化を調べた結果、合金イオン源の温度を変化させることにより、成長層のIII族組成の制御ができることが分かった。選択成長層の結晶性を調べるため、ビームエネルギーEi(30〜200eV)と基板温度Ts(250〜600℃)を変化させた選択成長層をμ-RHEEDで評価した。この結果より、初めて単結晶In_xGa_<1-x>Asマスクレス選択成長層が得られた。また、選択成長層の結晶性は基板温度に大きく依存していることが分かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-05-21

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