ターシャリーブチルヒドラジンを窒素源としたGaNのガスソースMBE成長 : エピタキシャル成長I

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• Tertiarybutylhydrazine(TBHy) is one of the alternative nitrogen sources to ammonia. We investigated growth behavior of gas-source MBE grown GaN epilayers using TBHy by in-situ reflection high-energy electron diffraction (RHEED). It is found that the nitridation of sapphire surface occurred under TBHy irradiation at 900℃ above 10 min. GaN firms with crystal phase of hexagonalcubic GaN (c-GaN) can be obtained, which depended growth conditions.

• 2000-07-01

著者

• 朴 康司

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 朴 康司

  豊橋技術科学大学第3工学系

• 高松 勇吉

  日本パイオニクス(株)研究所

• 山田 正憲

  豊橋技術科学大学

• 末本 竜二

  豊橋技術科学大学

• 山下 英昭

  豊橋技術科学大学

関連論文

• InP meltbackの理論的考察 : ホイスカー・基礎
• 液相成長のmacrostep morphology : マイクロモルフォロジー
• InP液相エッチングとモルフォロジー : ホイスカーとモルフォロジー
• 過飽和度による液相成長結晶表面の波もよう変化 : 基礎的考察
• 液相成長結晶表面波もようの理論的検討 : 基礎的考察
• 低加速集束イオンビーム薄膜形成装置の開発とミクロ領域結晶成長への応用
• アンモニアの除害
• MBE法によるInP(100)基板上のSiヘテロエピタキシー(ヘテロエピタキシー機構)
• MBE法によるInP基板上のSiヘテロエピタキシャル成長過程 : 気相成長IV
• MBE法によるGaAs基板上へのInPヘテロエピタキシャル成長 : エピタキシーII
• LPEマクロステップと不純物不均一分布 : I. 成長誘起不純物偏析現象
• LPE GaPのマクロステップにおける窒素原子不均一分布の測定 : エピタキシー
• ターシャリーブチルヒドラジンを窒素源としたGaNのガスソースMBE成長 : エピタキシャル成長I
• 低エネルギー集束イオンビームを用いたGaAsのマスクレス選択成長におけるドーピングと評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 低エネルギー集束イオンビームを用いたGaAsのマスクレス選択成長におけるドーピングと評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• 低エネルギー集束イオンビームを用いたGaAsのマスクレス選択成長におけるドーピングと評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• 低エネルギー集束イオンビームを用いたInGaNのマスクレス選択成長 : エピタキシャル成長II
• 低エネルギーGa-FIBとDMHyを用いたGaNのマスクレス選択成長
• 低エネルギーGa-FIBとDMHyを用いたGaNのマスクレス選択成長
• 低エネルギーGa-FIBとDMHyを用いたGaNのマスクレス選択成長
• 低エネルギーInGa-FIBによるIn_xGa_Asのマスクレス選択成長
• 低エネルギーInGa-FIBによるIn_xGa_Asのマスクレス選択成長
• 低エネルギーInGa-FIBによるIn_xGa_Asのマスクレス選択成長
• ヘテロエピタキシャル成長の成長初期制御による結晶欠陥の抑制
• (5)半導体集積回路の社会人教育(第2セッション 社会人技術者のリフレッシュ教育(II))
• 歪短周期超格子の挿入によるInP-on-Siの貫通転位密度の低減
• (GaAs)_m(GaP)_n歪短周期超格子の格子緩和過程
• MBE法による化合物半導体-Si系ヘテロエピタキシ-の初期原子層成長過程と界面制御 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (エピタキシ機構)
• 高温熱アニールによるGaAs on Siの転位密度低減効果
• 半導体液相成長モルフォロジーの実験的理論的研究(結晶のモルフォロジー)
• O_2ドープしたInP LPE層の電気的特性と表面モルホロジー
• 液相成長結晶表面にあらわれる波もよう(3)
• 水平ブリッジマン法によるInPの結晶成長 : O_2ドープ実験 : 結晶評価
• InPLPEにおけるメルトの熱処理効果 : エピタキシー
• 液相成長波もようのmiss orientation効果
• MBE法によるGaP基盤上へのGaAs成長
• 光電子適応シナプス結合デバイスと学習機能
• TMGa-TEAs-DEAsH原料を用いたCドープGaAsのMOVPE成長 : 気相成長I
• ジエチルアルシンを用いたGaAsのMOVPE 成長

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク