ヘテロエピタキシャル成長の成長初期制御による結晶欠陥の抑制
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概要
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初期成長機構を制御することにより、エピタキシャル層を貫通する結晶欠陥の発生を抑制することを試みた。GaAs基板上の(InAs)_1(GaAs)_1歪短周期超格子(Strained Short-Period Superlattice:SSPS)の成長において、原子状水素照射下で成長することで、格子不整合歪に起因して生じる3次元成長を抑制することを試みた。原子状水素が基盤表面に付着する成長温度350℃の成長において3次元成長の抑制効果が顕著に現れた。その結果、3次元成長に起因した貫通転位の発生を抑制することができた。また、Si基盤上のGaPの成長において、MBE法で成長した場合、高密度のV字型の積層欠陥(Stacking Fault:S.F.)がGaP-Si堺面より発生していた。このS.F.の発生はMEE法で成長することで抑制することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-24
著者
-
朴 康司
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
朴 康司
豊橋技術科学大学第3工学系
-
大島 直樹
豊橋技術科学大学 知識情報工学系
-
高木 康文
浜松ホトニクス株式会社
-
米津 宏雄
豊橋技術科学大学 工学研究科
-
米津 宏雄
Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology
-
大島 直樹
豊橋技科大
-
高木 康文
豊橋技術科学大学 工学部
-
横関 弥樹博
豊橋技術科学大学 工学部
-
辻 琢人
豊橋技術科学大学 工学部
-
左文字 克哉
豊橋技術科学大学 工学部
-
大島 直樹
豊橋技術科学大学 情報・知能工学系
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