(GaAs)_m(GaP)_n歪短周期超格子の格子緩和過程

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概要

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• GaP(100)just基板上にMBE法により(GaAs)_1(GaP)_3歪短周期超格子を成長し、RHEED、TEMおよびXRDを用いて格子緩和過程を調べた。その結果、(GaAs)_1(GaP)_3 SSPS層は2次元的に成長し、格子不整合はヘテロ界面にミスフィト転位が導入されることによって緩和されることが明らかになった。また、成長層の膜厚が500nmのとき格子緩和率は約50%であり、格子緩和は徐々に進行することも分かった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1995-05-18

著者

• 朴 康司

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 朴 康司

  豊橋技術科学大学第3工学系

• 大島 直樹

  豊橋技術科学大学 知識情報工学系

• 高木 康文

  浜松ホトニクス株式会社

• 米津 宏雄

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 米津 宏雄

  Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology

• 大島 直樹

  豊橋技科大

• 高木 康文

  豊橋技術科学大学 工学部

• 左文字 克哉

  豊橋技術科学大学 工学部

• 岩城 和彦

  豊橋技術科学大学工学部

• 大島 直樹

  豊橋技術科学大学 情報・知能工学系

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