朴 康司 | 豊橋技術科学大学第3工学系
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概要
関連著者
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朴 康司
豊橋技術科学大学第3工学系
-
朴 康司
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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米津 宏雄
豊橋技術科学大学 工学研究科
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チョウ 東鉉
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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内山 晋
名大工
-
米津 宏雄
Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology
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西山 友和
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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高木 康文
浜松ホトニクス株式会社
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西永 頌
名大工
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朴 康司
名大工
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田中 周
豊橋技術科学大学
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高木 康文
豊橋技術科学大学 工学部
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大島 直樹
豊橋技術科学大学 知識情報工学系
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大島 直樹
豊橋技科大
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丸山 裕之
豊橋技術科学大学第3工学系
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西山 友和
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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金 恩美
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
沼田 和俊
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
鉢呂 昌弘
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
阿部 行直
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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左文字 克哉
豊橋技術科学大学 工学部
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榊原 健二
豊橋技術科学大学第3工学系
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金 恩美
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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沼田 和俊
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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大島 直樹
豊橋技術科学大学 情報・知能工学系
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西永 頌
名大・工
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内山 晋
名大・工
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朴 康司
名大・工
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西永 頌
豊橋技術科学大学
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笹岡 千秋
東大・工
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内山 普
名大 工
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高野 泰
豊橋技術科学大学
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吉田 明
豊橋技術科学大学
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石田 誠
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
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吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
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朴 康司
豊橋技科大
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吉田 明
豊橋技科大
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石田 誠
豊橋技術科学大学
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下村 哲也
豊橋技術科学大学
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西永 頌
東京大学工学系研究科
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若原 昭浩
豊橋技術科学大学
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吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
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西永 頌
東大 工
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西永 頌
名大 工
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辻 清孝
豊橋技術科学大学 工学部 電気・電子工学系
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斉藤 勲
豊橋技術科学大学
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鈴木 裕一
豊橋技術科学大学
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高松 勇吉
日本パイオニクス(株)研究所
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笹岡 千秋
東京大学工学部電子工学科
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笹岡 千秋
東大 工
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鷲山 昌子
東大 工
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西永 頌
豊技大
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チョウ ドンヒョン
豊橋技術科学大学
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山田 正憲
豊橋技術科学大学
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末本 竜二
豊橋技術科学大学
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山下 英昭
豊橋技術科学大学
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横関 弥樹博
豊橋技術科学大学 工学部
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辻 琢人
豊橋技術科学大学 工学部
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並木 章
豊橋技術科学大学
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林田 圭司
豊橋技術科学大学第三工学系
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岩城 和彦
豊橋技術科学大学工学部
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八谷 佳明
豊橋技術科学大学
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八谷 佳明
パナソニック株式会社
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西永 頌
TUT(豊橋技術科学大学)
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朴 康司
TUT(豊橋技術科学大学)
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中野 哲夫
名大工
-
朴 康司
豊技大
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朴 康司
名大 工
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内山 普
名大工
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辻 正芳
豊橋技術科学大学
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金谷 康宏
豊橋技術科学大学
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金森 宏治
豊橋技術科大学第3工学系
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鳥畑 貞二
豊橋技術科学大学
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高野 秦
豊橋技術科学大学
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中村 守雄
豊橋技術科学大学
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中村 重彦
豊橋技術科学大学
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鷲山 昌子
東大工学部
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佐藤 朝彦
豊橋技術科学大
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庄司 明
豊橋技術科学大
著作論文
- InP meltbackの理論的考察 : ホイスカー・基礎
- 液相成長のmacrostep morphology : マイクロモルフォロジー
- InP液相エッチングとモルフォロジー : ホイスカーとモルフォロジー
- 過飽和度による液相成長結晶表面の波もよう変化 : 基礎的考察
- 液相成長結晶表面波もようの理論的検討 : 基礎的考察
- 低加速集束イオンビーム薄膜形成装置の開発とミクロ領域結晶成長への応用
- MBE法によるInP(100)基板上のSiヘテロエピタキシー(ヘテロエピタキシー機構)
- MBE法によるInP基板上のSiヘテロエピタキシャル成長過程 : 気相成長IV
- MBE法によるGaAs基板上へのInPヘテロエピタキシャル成長 : エピタキシーII
- LPEマクロステップと不純物不均一分布 : I. 成長誘起不純物偏析現象
- LPE GaPのマクロステップにおける窒素原子不均一分布の測定 : エピタキシー
- ターシャリーブチルヒドラジンを窒素源としたGaNのガスソースMBE成長 : エピタキシャル成長I
- 低エネルギー集束イオンビームを用いたGaAsのマスクレス選択成長におけるドーピングと評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 低エネルギー集束イオンビームを用いたGaAsのマスクレス選択成長におけるドーピングと評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- 低エネルギー集束イオンビームを用いたGaAsのマスクレス選択成長におけるドーピングと評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 低エネルギー集束イオンビームを用いたInGaNのマスクレス選択成長 : エピタキシャル成長II
- 低エネルギーGa-FIBとDMHyを用いたGaNのマスクレス選択成長
- 低エネルギーGa-FIBとDMHyを用いたGaNのマスクレス選択成長
- 低エネルギーGa-FIBとDMHyを用いたGaNのマスクレス選択成長
- 低エネルギーInGa-FIBによるIn_xGa_Asのマスクレス選択成長
- 低エネルギーInGa-FIBによるIn_xGa_Asのマスクレス選択成長
- 低エネルギーInGa-FIBによるIn_xGa_Asのマスクレス選択成長
- ヘテロエピタキシャル成長の成長初期制御による結晶欠陥の抑制
- (5)半導体集積回路の社会人教育(第2セッション 社会人技術者のリフレッシュ教育(II))
- 歪短周期超格子の挿入によるInP-on-Siの貫通転位密度の低減
- (GaAs)_m(GaP)_n歪短周期超格子の格子緩和過程
- 高温熱アニールによるGaAs on Siの転位密度低減効果
- 半導体液相成長モルフォロジーの実験的理論的研究(結晶のモルフォロジー)
- O_2ドープしたInP LPE層の電気的特性と表面モルホロジー
- 液相成長結晶表面にあらわれる波もよう(3)
- 水平ブリッジマン法によるInPの結晶成長 : O_2ドープ実験 : 結晶評価
- InPLPEにおけるメルトの熱処理効果 : エピタキシー
- 液相成長波もようのmiss orientation効果
- MBE法によるGaP基盤上へのGaAs成長
- 光電子適応シナプス結合デバイスと学習機能
- TMGa-TEAs-DEAsH原料を用いたCドープGaAsのMOVPE成長 : 気相成長I
- ジエチルアルシンを用いたGaAsのMOVPE 成長