高温熱アニールによるGaAs on Siの転位密度低減効果
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概要
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Si(100)基板上にMBE法で成長させたGaAsエピ層の転位密度の低減を計るために950℃及び1050℃の高温熱アニールを行った。断面TEM観察の結果から、高温熱アニールによってGaAsエピ層の転位は大幅に減少することがわかった。これは、高温における転位の移動速度の増加、及び空格子濃度の増加に伴って転位の上昇運動が促進されたことによると思われる。また、GaAs,Si界面と平行に伸びる転位が観察された。一方、SIMS分析の結果よりGaAsエピ層内へのSi原子の拡散が見出された。そのSi原子の拡散距離とGaAs/Si界面と平行に伸びる転位の界面からの離距がほぼ一致した。このことより、GaAs/Si界面と平行に伸びる転位は熱アニール時のSi原子の拡散のために転位の運動が妨げられたために形成されたと考えられる。これらの結果から、熱アニールによる転位低減のモデルを考察した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-21
著者
-
朴 康司
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
朴 康司
豊橋技術科学大学第3工学系
-
高木 康文
浜松ホトニクス株式会社
-
米津 宏雄
豊橋技術科学大学 工学研究科
-
高木 康文
豊橋技術科学大学 工学部
-
八谷 佳明
豊橋技術科学大学
-
八谷 佳明
パナソニック株式会社
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