Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))

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概要

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• Si-LSIと発光・受光素子を融合した光電子集積回路実現のため,Siと格子整合するIII-V-N混晶層の適用による格子不整合転位の解消に加えて,III-V-N混晶層の価電子制御と,点欠陥の低減が必須である。本研究では,GaPNにSおよびMgを添加する事で,n型およびp型の伝導度制御を行い,その電気的特性を調べた。移動度の温度依存性を検討した結果,n-型GaPNでは,室温付近に於いてもイオン化不純物散乱が支配的であるのに対し,p型GaPNではGaPと同様に低温ではイオン化不純物散乱,室温付近ではフォノン散乱が支配的であることが分かった。また,光伝導度の過渡応答特性より,p型GaPNにおいても,時定数の長い欠陥準位が存在していることが分かった。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2006-05-11

著者

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 佐藤 淳

  豊橋技術科学大学 工学部

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 米津 宏雄

  豊橋技術科学大学 工学研究科

• 米津 宏雄

  Department Of Electrical And Electronic Information Engineering Toyohashi University Of Technology

• 島田 英里

  豊橋技術科学大学 工学部

• 箕原 大介

  豊橋技術科学大学 工学部

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学

• 古川 雄三

  豊橋技術科学大学 電気・電子工学系

• 米澤 宏雄

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

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