インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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概要
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Au/n-GaN SBD (Schottky barrier diode)とSi信号処理回路を組み合わせたインテリジェントUVセンサを作製した。Au電極のサイズは1mm^2とし、膜厚を10nmとすることで電極直下を受光部にした。 I-V特性測定結果より、n=1.28、φB=1.07eV、開放端電圧V_<OC>=0.57V、短絡電流I_<SC>=0.51μA(λ=320-390nm、177μW/cm^2)が得られた。 Au/n-GaN SBDとSi信号処理回路を接続し、UV光照射177μW/cm^2に対して、理論値程度の350mVの出力値の変化が得られ、さらにSBDの信号をSi信号処理回路の累積動作により増幅して読み出すことに成功した。
- 2010-05-06
著者
-
岡田 浩
豊橋技術科学大学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
李 昌勇
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
-
松野 文弥
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
-
橋元 芳昇
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
李 昌勇
豊橋技術科学大学 電気・電子情報工学系
-
岡田 浩
豊橋技術科学大学 工学部
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