Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Si/3-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 (電子部品・材料)
-
Si/3-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 (電子デバイス)
-
真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
-
ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
-
CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
-
AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
-
GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
-
HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
-
HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
-
Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
Siに格子整合可能なGaPNの電気的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
インテリジェントUVセンサのためのGaN系フォトダイオードと電荷転送型Si信号処理回路の一体化(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
-
単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
-
単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
-
単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
-
Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si, SiGe,その他の電子材料))
-
Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究
-
Si-GaN OEICをめざしたGaNヘテロエピタキシーに関する研究
-
γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
γ-Al_2O_3/Si(111)基板上へのGaNヘテロエピタキシャル成長に関する研究(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
-
AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
-
Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Eu添加AlGaNの光学利得の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
光伝導度過渡応答特性を用いたGaPNの深い準位の評価(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
-
ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
-
シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
-
シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
-
シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
-
CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
-
CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
-
CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
-
CI-3-5 格子整合系GaNP/Si発光デバイスを用いた光・電子集積(CI-3.シリコンフォトニクスに関わるアクティブデバイス,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
-
Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作
-
Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作
-
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
-
Eu添加AlGaN/GaN HEMT構造を用いた発光素子の検討
-
高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
高温環境下で動作するCOガスセンサに向けたPt/GaNショットキバリアダイオードの評価(センサ,撮像,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
BGaPの分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
-
GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
-
GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
-
GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
-
GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
-
N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響
-
Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
-
Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
-
Mg共添加GaN:Euを活性層とした赤色発光ダイオードの作製(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
-
Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価
-
Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価
-
Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク