BGaPの分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• Si基板上歪量子井戸レーザ用の歪補償層への応用に向けて、希薄BGaP層の分子線エピタキシャル成長を検討した。BGaP層のB組成が、成長温度を低下することによって増加することが明らかになった。これは、valence force field理論を用いた理論計算により、B原子がGaP母材中に取り込まれる際、B-P結合に歪がかかるため、結合が不安定となる。このため、高い成長温度(580℃)においてはB原子の脱離や取り込み効率が低下すると考えられる。一方で、低い成長温度(500℃)においては、基板表面におけるPの表面被覆率が増加するため、不安定ながらもB-P結合が切断される確率が低くなったことにより、Bの取り込み効率が高くなったと考えられる。

• 2011-05-12

著者

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  上智大理工:crest-jst

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 浦上 法之

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  上智大理工:jst-crest

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 深見 太志

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学 工学部

• 深見 太志

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

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