浦上 法之 | 豊橋技術科学大学
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学
-
浦上 法之
豊橋技術科学大学
-
岡田 浩
豊橋技術科学大学
-
岡田 浩
豊橋技術科学大学 工学部
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
関口 寛人
豊橋技術科学大学
-
関口 寛人
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻
-
関口 寛人
上智大理工:crest-jst
-
梅野 和行
豊橋技術科学大学
-
古川 雄三
豊橋技術科学大学 工学研究科
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
古川 雄三
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
古川 雄三
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
光吉 三郎
豊橋技術科学大学
-
深見 太志
豊橋技術科学大学
-
深見 太志
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
-
野間 亮佑
豊橋技術科学大学
-
関口 寛人
上智大理工:jst-crest
-
岡田 浩
エレクトロニクス先端融合研究所
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
-
岡田 浩
豊橋技術科学大学エレクトロニクス先端融合研究所
-
浦上 法之
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系
著作論文
- 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- p-GaPNの発光機構と変調ドープGaAsN/GaPN高歪量子井戸への応用(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 自己形成InGaAsN/GaPN量子ドットの成長と発光特性(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- BGaPの分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- BGaPの分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 表面窒化によるGaAsN混晶の形成(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 表面窒化によるGaAsN混晶の形成(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 表面窒化によるGaAsN混晶の形成(結晶成長、評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))