高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• Si上発光デバイスの活性層材料としてGaAsN混晶は有望である460℃で成長した試料に比べ、600℃で成長したGaAsN混晶のPLスペクトルは半値全幅が狭く、高エネルギー側の裾が小さくなった。また、PLピークエネルギーの温度依存性において、局在状態が少ないことが示唆された600℃付近で成長したGaAsN/GaP SQWでは、PL積分強度の温度依存性において温度消光が少なくなった。これは、成長温度を高くすることにより、Nに起因する点欠陥の抑制が出来たためであると考えられる。以上のことから、高温で成長することによりGaAsN混晶の結晶性の向上が可能であることが分かった。

• 2012-05-10

著者

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  上智大理工:crest-jst

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 浦上 法之

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学系

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 深見 太志

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学

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