GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)

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概要

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• 希土類添加半導体は発光線幅が狭く温度消光が小さいなどの優れた発光特性を有するため,次世代発光デバイス材料として注目されている.本研究では,GaN:EuへのMg共添加が発光特性に与える影響について調べた.PL評価においてGaN:Eu,Mgから^5D_0-^7F_2遷移に対応した3つの発光ピークを観測した.Mg増大に伴い発光ピークは622.3nmから620.3nmへとシフトし,最適なMg濃度において発光強度はMg無添加の試料に比べ20倍の強度が得られた.また最適化された試料においてPL温度特性から見積もられた発光効率は77%であった.これらの結果からMg共添加は選択的に発光サイトを制御し,^5D_0準位からの非発光成分を抑制する効果があることが示唆された.

• 2011-11-10

著者

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  上智大理工:crest-jst

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 高木 康文

  浜松ホトニクス株式会社

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 大谷 龍輝

  豊橋技術科学大学工学部

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学

• 大谷 龍輝

  豊橋技術科学大学 工学部

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学 工学部

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