GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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GaN/AlN多重量子井戸(MQW)のサブバンド間遷移(ISBT)は、超高速全光スイッチへの応用が期待されている。我々は、紫外域に対応するバンド間遷移(IBT)によりMQWの第一量子準位にキャリアを励起し、波長1.55μmのISBT効果を発現させることで、(1)IBT共鳴光によるISBTデバイス動体のON-OFF制御、(2)紫外-赤外信号変換作用を基礎にした高速紫外光検出器の実現を目指して研究を推進している。後者では、IBT緩和時間の高速動作が期待される。これらのデバイスへの発展の基礎的資料を得るため、本研究では、IBT共鳴光によるISBT誘起特性を調べ、IBT共鳴光強度3mW程度で比較的大きなISBT消光比38%を得た。この実験をもとにしてISBT消光比を理論的に解析したところ、IBT共鳴光強度40mWでISBT消光比は99%以上となり、最終的な目的であるISBTデバイス制御や高速紫外光検出器の実現の可能性を示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-15
著者
-
菊池 昭彦
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大学理工学部
-
松井 聡
上智大学理工学部
-
松井 聰
上智大学理工学部
-
石井 洋平
上智大学理工学部
-
HOLMSTROM Fetter
上智大学理工学部
-
関口 寛人
上智大学理工学部
-
HOLMSTROM Petter
上智大学理工学部
-
関口 寛人
上智大理工:crest-jst
-
関口 寛人
上智大理工:jst-crest
-
菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
-
岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
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