(GaP)_m/(InP)_m短周期二元超格子におけるGaInP量子細線構造の自己組織化条件と量子細線レーザ
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概要
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(GaP)_m/(InP)_m短周期二元超格子の積層時に生じる量子細線構造の自己組織化現象に関し、二元超格子層の分子層数m及び成長基板の基板傾斜角度を変化させることで検討を行った。その結果、量子細線の自己組織化は、基板傾斜角度に大きく依存することが分かった。(100)-GaAs基板上では分子層数mが1.2ML以上で、[011]方向に5゜offした(100)-GaAs基板では、1MLで既に量子細線の自己組織化を示唆する結果得られた。また、15゜offでは微小ステップ幅により自己組織化が抑制される結果が得られた。さらに、この手法を用いて歪量子細線レーザを作製したところ、m値が1.5MLの時、室温パルス動作時に257A/cm^2の低しきい値電流密度が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-21
著者
-
菊池 昭彦
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大学理工学部
-
野村 一郎
上智大学 電気電子工学科
-
吉田 順自
上智大学
-
吉田 順自
上智大学理工学部
-
野村 一郎
上智大学理工学部
-
野村 一郎
上智大 理工
-
菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
-
岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
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