GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
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概要
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通信波長帯でのサブバンド間遷移(Intersubband transition:ISBT)は、LOフォノン放出により超高速で緩和するため、光スイッチング素子としての応用が;期待できる。GaN系ISBTは他のISBT試料と比べて特に高速で緩和することができるが、問題点として、サファイア基板との格子不整合によつて生じた貫通転位によるスイッチング効率の低下があげられる。高密度柱状結晶のGaNナノコラムでは、貫通転位を含まない優れた結晶性を有するため、試料の高品質化が望める。そこで我々はGaNナノコラムに多重量子ディスク(MQD)を挿入した試料において、通信波長帯でのISBTによる吸収を確認した。さらに、ポンプ・プローブ法を用いて、ISBT吸収飽和信号の超高速な緩和過程を観測し、性能指数を見積もった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-06-22
著者
-
菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
菊池 昭彦
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大学理工学部
-
欅田 英之
上智大理工
-
江馬 一弘
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
欅田 英之
上智ナノテク研
-
葛西 洋平
上智大理工
-
福永 和哉
上智大理工
-
江馬 一弘
上智大学理工学部
-
田中 海一
上智大学理工学部
-
幾野 敬太
上智大学理工学部
-
葛西 洋平
上智大学理工学部
-
福永 和哉
上智大学理工学部
-
欅田 英之
上智大学理工学部
-
江馬 一弘
上智大学理工:上智ナノテク
-
菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
-
欅田 英之
上智大学理工:上智ナノテク
-
岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
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