GaN/A1N超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2004-01-30
著者
-
菊池 昭彦
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大学理工学部
-
松井 聡
上智大学理工学部
-
松井 聰
上智大学理工学部
-
石井 洋平
上智大学理工学部
-
森田 高行
上智大学理工学部
-
HOLMSTROM Petter
上智大学理工学部
-
森田 高行
北海道消化器科病院
-
菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
-
岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
関連論文
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 石灰化をともなう側方リンパ節単発転移を認めた直腸カルチノイド腫瘍の1例
- RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- O9-2.幽門側胃切除・空腸嚢間置再建後の残胃癌に対して空腸間置を施行した2例(主題III 医切除後の再建方法をめぐって,第39回胃外科・術後障害研究会)
- 緑色半導体レーザに向けたInP基板上II-VI族材料の開拓(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 食道多発扁平上皮癌に癌肉腫を合併した1例
- HP-087-8 胃癌腹膜播種に対するパクリタキセル腹腔内投与の検討(胃(化学(放射線)療法),ハイブリッドポスター,第109回日本外科学会定期学術集会)
- WS-6-3 膵癌における5FU代謝酵素OPRT, TS, DPDの発現と化学療法の関係(GEM, TS1時代の膵癌外科治療,ワークショップ,第109回日本外科学会定期学術集会)
- HP-107-6 大腸癌肝転移の過程におけるc-Metの意義について(大腸(肝転移4),ハイブリッドポスター,第109回日本外科学会定期学術集会)
- P-3-166 大腸癌肝転移におけるHGF/c-Met発現に関する臨床的・基礎的研究(肝研究,一般演題(ポスター),第63回日本消化器外科学会総会)
- OP-250-5 膵癌切除症例における術後補助化学療法における5FU肝動注・門注療法とGEMとの比較検討(膵化療-2,一般口演,第110回日本外科学会定期学術集会)
- 胆管内腫瘍栓を認め, 肝内胆管癌との鑑別を要した大腸癌肝転移の1切除例
- OP-112-5 大腸癌肝転移巣におけるc-Met発現に関する実験的検討(腫瘍基礎-7,一般口演,第110回日本外科学会定期学術集会)
- P-2-262 大腸癌における5FU代謝酵素OPRT,TS,DPDの発現と病態の検討(大腸癌基礎4,一般演題(ポスター),第64回日本消化器外科学会総会)
- P-1-398 大腸癌肝転移に対する肝切除術の意義 : 臨床的・基礎的検討(肝 転移・再発,一般演題(ポスター),第64回日本消化器外科学会総会)
- 急速な増悪経過をたどった小腸平滑筋肉腫の1例
- DP-049-2 大腸癌肝転移の進展・再発に及ぼす肝細胞増殖因子の影響(第108回日本外科学会定期学術集会)
- DP-003-6 進行膵癌に対するVitamin K 3局注療法に関する基礎的研究(第108回日本外科学会定期学術集会)
- P-2-140 漿膜浸潤胃癌に対する術後腹腔内化学療法(胃癌 CY1-2,一般演題(ポスター),第62回日本消化器外科学会定期学術総会)
- P-1-674 血栓性血小板減少性紫斑病の治療中に併発した気腫性胆嚢炎の1例(胆 良性2,一般演題(ポスター),第62回日本消化器外科学会定期学術総会)
- P-1-133 出血性ショックを呈した巨大な十二指腸GISTの1例(胃 GIST1,一般演題(ポスター),第62回日本消化器外科学会定期学術総会)
- InP基板上のMgZnCdSe混晶及びZnCdSe/MgZnCdSeヘテロ接合のMBE成長
- P-1-413 異型腺管病変を伴う胆道腫瘍の2切除例 : 免疫染色による評価(胆管 悪性2,一般演題(ポスター),第63回日本消化器外科学会総会)
- 妊娠中に発症した絞扼性イレウスの1例
- DP-047-2 大腸癌肝転移に対する肝切除術の影響(第108回日本外科学会定期学術集会)
- 腫瘤形成性膵炎の2切除例
- P-2-664 胆嚢小細胞癌の1例(胆 症例 悪性腫瘍1,一般演題(ポスター),第62回日本消化器外科学会定期学術総会)
- P-2-416 膵仮性嚢胞内瘻術後に嚢胞内出血をきたした1例(膵 慢性膵炎,一般演題(ポスター),第62回日本消化器外科学会定期学術総会)
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 12pPSA-4 GaN/AlN 多重量子井戸におけるサブバンド間遷移ダイナミクス(領域 4)
- 29pXQ-5 GaN/AlN多重量子井戸におけるサブバンド間遷移の超高速緩和過程(超高速現象)(領域5)
- GaN/A1N超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性
- GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- 21pPSB-2 GaN/AIN 多重量子井戸におけるサブバンド間遷移の吸収飽和と高速緩和過程
- GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaN/AlN多重量子井戸のサブバンド間遷移を用いた紫外・赤外光変換素子の基礎検討(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 光のアンダーソン局在の直接観察
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法による高品質窒化物ナノコラム結晶の成長とInGaN/GaNナノコラムLEDの作製(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- RF-MBE法によるInNの結晶成長とナノ構造の作製
- GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- ディスプレイ技術と可視光レーザー
- RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF-MBE法によるInN/InGaN多重量子井戸構造の成長と評価(特別セッションテーマ: InNはどこまでよくなったか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- (GaP)_m/(InP)_m短周期二元超格子におけるGaInP量子細線構造の自己組織化条件と量子細線レーザ
- (GaP)_n/(InP)_m短周期二元超格子によるGaInP量子細線の自己組織化と量子細線レーザ
- ガスソースMBE法による自己形成GaInP/AlInP赤色量子細線レーザ
- 28a-ZK-8 歪GaAsからのスピン偏極光電子の生成および検出
- GaNの極微細構造の成長とAIGaNのシャッター制御法によるAI組成制御
- 窒化物系共振型紫外線受光素子の設計とRF-MBE法によるAlGaN系DBRの試作
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製
- 赤色半導体レーザーの低しきい値化
- InP基板上II-VI族材料による黄緑色半導体レーザの作製(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]InP基板上II-VI族材料による黄緑色半導体レーザの作製(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- C-4-5 InGaN/GaN MQWナノコラムを用いた緑色発光デバイス(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 分子線エピタキシー法による高品質窒化物半導体の結晶成長と共鳴トンネルダイオードの作製(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
- 可視光半導体レーザーの物理
- 窒化物半導体国際ワークショップ (IWN2000) 報告
- AlN/GaN超格子を用いた1.2〜1.6μm光通信波長帯サブバンド間吸収の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- AlN/GaN超格子を用いた1.2〜1.6μm光通信波長帯サブバンド間吸収の観測(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- C-4-32 ZnO/F8BT/MoO_3無機/有機複合LED(IO-Hy LED)の動作特性におけるMgZnO電子注入層導入効果(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価
- PS-037-7 膵癌外科切除成績の向上を目指した治療戦略(PS-037 膵 周学的治療-1,第112回日本外科学会定期学術集会)
- 26pSA-2 ELO成長法におけるInNの光学特性(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価
- 六角形状GaNマイクロディスク結晶における光共振機構の検証(発光型/非発光型ディスプレイ)