GaN/AlN超格子におけるISBT吸収係数のキャリア濃度依存性(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,集積光回路,半導体光導波路素子,PLC,ファイバ型デバイス,導波路解析,その他)
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概要
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GaN/AlN窒化物半導体における量子準位間遷移(Intersubband Transition: ISBT)は、光ファイバー通信波長帯への適応が可能であり、数百フェムト秒という超高速吸収緩和特性を有することから次世代の超高速光デバイスへの応用が期待されている。本研究では、分子線エピタキシー法によりサファイア基板上に成長したGaN/AlN超格子結晶にSiO_2ストライプを付加したリブ導波路においてISBT吸収の偏波依存性を観測した。また、キャリア濃度1x10^<18>〜3x10^<20>cm^<-3>という広い範囲において、光通信波長帯である1.55μm付近でのISBT吸収係数のキャリア濃度依存性を測定した。導波路デバイス設計上の重要なパラメータである自由キャリア吸収係数のキャリア濃度依存性も測定した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-01-23
著者
-
菊池 昭彦
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大学理工学部
-
松井 聡
上智大学理工学部
-
松井 聰
上智大学理工学部
-
石井 洋平
上智大学理工学部
-
HOLMSTROM Fetter
上智大学理工学部
-
森田 高行
上智大学理工学部
-
森田 高行
北海道消化器科病院
-
菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
-
岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
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