Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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GaN/AlN多重量子構造によるサブバンド間遷移(Intersubbabnd transition: ISBT)はフェムト秒オーダーの超高速緩和現象が光通信波長帯において実現できることから次世代の光通信デバイスへの応用が期待されている。一方、GaNナノコラムは貫通転位を含まず優れた結晶性を有する高品質ナノ結晶である。本研究ではRF-MBE法によってSi(111)基板上GaNナノコラムにGaN/AlN多重量子ディスク(MQD)構造を内在化した結晶を成長し、光検出器の試作と光通信波長域における特性評価を行った。成長した試料の光吸収スペクトルを測定したところP偏光にて波長1.59μmの吸収ピークが観測された。表面に直径500μmの厚膜電極を形成し光検出器とした。波長1.47μmレーザ光を入射したところ室温における光検出に成功した。基板裏面から光を入射した場合、成長層からの表面入射に比べて、5倍の検出感度をもつことが測定された。受光特性の偏光依存性や波長依存性の評価により光検出の起源がISBTであることが示唆された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-09-28
著者
-
菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
菊池 昭彦
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大学理工学部
-
内田 裕行
上智大理工
-
内田 裕行
上智大学理工学部
-
菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
-
岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
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