28pPSA-62 InAlNおよびInNナノコラムの発光特性(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2009-03-03
著者
-
菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
神村 淳平
上智大学理工学部
-
幸山 和晃
上智大理工
-
江馬 一弘
上智大理工
-
岸野 克巳
上智大理工
-
欅田 英之
上智大理工
-
岸野 克巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構
-
橋本 雅文
上智大理工
-
江馬 一弘
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
-
欅田 英之
上智ナノテク研
-
福永 和哉
上智大理工
-
神村 淳平
上智大理工
-
菊池 昭彦
上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
-
菊池 昭彦
上智大理工:CREST-JST:上智ナノテク
関連論文
- 22pPSB-35 窒化物半導体ナノコラム結晶を用いた新規発光デバイスの研究(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF分子線エピタキシー法によるInGaNナノコラムLEDの作製と評価(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 24aPS-37 ペロブスカイト型酸化物における反射率の時間変化II(24aPS ポスターセッション(低温),領域8(強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 12pPSA-4 GaN/AlN 多重量子井戸におけるサブバンド間遷移ダイナミクス(領域 4)
- 29pXQ-5 GaN/AlN多重量子井戸におけるサブバンド間遷移の超高速緩和過程(超高速現象)(領域5)
- 21pPSB-2 GaN/AIN 多重量子井戸におけるサブバンド間遷移の吸収飽和と高速緩和過程
- 27aPS-93 一次元フォトニック配列したGaNナノウォールからの第二次高調波発生(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 20pPSA-19 無機有機量子井戸物質の励起子微細構造 : 交換エネルギーとn=2励起子(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 13pPSA-19 無機有機複合型量子井戸物質における励起子分子発光の微細構造(領域 5)
- 13pPSA-18 無機有機複合型量子井戸物質における励起子の非線形光学効果(領域 5)
- 30pPSA-25 有機無機複合型量子井戸物質の励起子スピン緩和と励起子非線形
- 27pXB-9 非縮退ポンププローブ法を用いたZnTeの共鳴生成コヒーレントフォノンの観測(超高速現象,領域5,光物性)
- 27aPS-49 ワイドギャップ半導体CdSにおけるE_2モードコヒーレントフォノンの振る舞い(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(フォトニック結晶,領域5,領域1合同,領域5,光物性)
- 25aXB-5 歪補償量子ドットにおける多光波混合(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 25aXB-4 集団量子ドットにおける励起子ラビ振動の制御(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 28pPSA-62 InAlNおよびInNナノコラムの発光特性(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28pPSA-33 間接ワイドギャップ半導体GaPにおける共鳴励起コヒーレントフォノン(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 28aVD-5 ランダム配置誘電体円柱における光のアンダーソン局在(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 28aVD-5 ランダム配置誘電体円柱における光のアンダーソン局在(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 22aPS-62 量子ドットにおけるパルス面積の精密評価(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21aYH-6 ランダム配置GaNナノコラムにおける光のアンダーソン局在(21aYH 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 21aYH-5 量子ドットにおける励起子ラビ振動の減衰メカニズム(21aYH 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 20aYG-11 ワイドギャップ半導体における共鳴励起コヒーレントフォノン(20aYG 超高速現象,領域5(光物性))
- 23pYJ-7 GaNナノコラム結晶の発光特性(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 26aPS-18 InGaN/GaNナノコラム結晶の発光特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aPS-31 ワイドギャップ半導体ZnTeにおける共鳴励起コヒーレント工学フォノン(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aPS-57 GaNナノコラム集団における光の伝搬特性II(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSA-79 GaNナノコラム結晶の発光特性II(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSA-98 低歪積層量子ドットにおける励起子ラビ振動(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSB-29 GaNナノコラム集団における光の伝搬特性(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 23pPSB-31 InNナノコラムにおけるバンドギャップとキャリア濃度の評価(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- 21aPS-83 ペロブスカイト型酸化物における反射率の時間変化(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- 19pPSB-10 GaNナノコラム結晶の光学特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSB-12 無機有機量子井戸物質の励起子微細構造とポラリトン(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSA-45 低歪積層InAs量子ドットにおける励起子緩和過程(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 19pPSB-37 酸素欠陥を制御したanatase型二酸化チタン薄膜の光学特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 25aPS-31 無機有機量子井戸物質における励起子微細構造(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25aPS-66 低歪積層InAs量子ドットにおける位相緩和 : 励起子間相互作用の影響(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25aPS-27 GaNおよびInGaN/GaNナノコラム結晶の光学特性(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 量子情報・物理
- 23aXD-5 PbI_2薄膜におけるコヒーレントフォノンの観測
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 28aPS-26 無機有機量子井戸物質における多重量子井戸ポラリトン(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 27aPS-74 GaNナノコラムの高圧下ラマン散乱(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 25aRE-4 半導体円柱集団における光局在特性(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25aRE-4 半導体円柱集団における光局在特性(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 19pPSA-46 GaNナノコラム結晶のプラズモンによるラマン散乱(ポスターセッション,領域5,光物性)
- 26aWH-2 GaN/AIN多重量子ディスクナノコラムのラマン散乱(26aWH 非線形光学・励起子・ポラリトン・緩和励起子・格子振動,領域5(光物性))
- 27aWA-3 GaNナノコラムおよびGaN/AlN超格子ナノコラムのラマン散乱(27aWA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 21aYD-10 GaN/AIN超格子ナノコラム結晶のラマン散乱(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
- 21aYD-9 GaNナノコラム結晶のラマン散乱(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
- GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムにおけるサブバンド間遷移(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 25pPSB-45 GaNナノウォールと規則配列GaNナノコラムにおける表面フォノンのラマン散乱(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
- 23aYJ-7 GaNナノコラム結晶のプラズモンによるラマン散乱II(微粒子・ナノ結晶・低次元物質,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 13pPSA-72 擬二次元マンガン酸化物におけるポンプ-プローブ分光 II(領域 5)
- 22pPSA-59 擬二次元マンガン酸化物におけるポンプ-プローブ分光
- 19pRC-11 GaNナノコラム結晶の電気伝導(量子細線・量子井戸,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Si(111)基板上GaN/AlN多重量子ディスクナノコラムを用いた光通信波長帯光検出器の作製
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- C-4-5 InGaN/GaN MQWナノコラムを用いた緑色発光デバイス(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 28aPS-72 ペロブスカイト型Mn酸化物の周期的な反射率変化(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 25aHB-8 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(25aHB 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aHB-8 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(25aHB 領域5,領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 25pPSA-28 GaNナノ構造における表面フォノンのラマン散乱(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 26aPS-89 1本のGaNナノコラムの電気伝導(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pPSA-29 1本のGaNナノコラムの顕微ラマン散乱(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pPSA-6 1本のGaNナノコラムの電気伝導II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pTN-10 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
- 21pPSA-60 GaNナノ構造における表面フォノンのラマン散乱II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21pPSA-59 1本のGaNナノコラムの顕微ラマン散乱II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 23pTN-10 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価
- 26pSA-2 ELO成長法におけるInNの光学特性(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価