岸野 克巳 | 上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

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概要

• 同名の論文著者
• 上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研の論文著者

関連著者

• 岸野 克巳

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 菊池 昭彦

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 菊池 昭彦

  上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻

• 岸野 克己

  上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構

• 岸野 克巳

  上智大理工

• 菊池 昭彦

  上智大理工:CREST-JST:上智ナノテク

• 酒井 優

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 猪瀬 裕太

  上智大理工

• 江馬 一弘

  上智大理工

• 江馬 一弘

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 猪瀬 裕太

  上智大理工:crest-jst

• 大槻 東巳

  上智大理工

• 大槻 東巳

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 岸野 克巳

  上智大学理工学部

• 関口 寛人

  上智大理工:crest-jst

• 関口 寛人

  上智大理工:jst-crest

• 岸野 克巳

  上智大学理工:上智ナノテク

• 大槻 東巳

  上智大理工:上智ナノテク

• 菊池 昭彦

  上智大学理工:上智ナノテク

• 菊池 昭彦

  上智大学理工学部

• 酒井 優

  山梨大院医工

• 江馬 一弘

  上智大学理工:上智ナノテク

• 関口 寛人

  上智大理工

• 欅田 英之

  上智大理工

• 欅田 英之

  上智ナノテク研

• 黒江 晴彦

  上智大理工

• 関根 智幸

  上智大理工

• 関根 智幸

  上智大理工:crest-jst

• 関口 寛人

  上智大学理工学部

• Sekine Toshiaki

  Department Of Radioisotopes Japan Atomic Energy Research Institute

• 神村 淳平

  上智大学理工学部

• 神村 淳平

  上智大学理工

• 植田 裕輝

  上智大理工

• 猪瀬 裕太

  上智大学理工学部

• 山野 晃司

  上智大学理工学部:jstクレスト

• 猪瀬 裕太

  上智大学理工

• 酒井 優

  上智大理工

• 山野 晃司

  上智大理工

• 神村 淳平

  上智大理工

• 江馬 一弘

  上智大学理工学部

• 大槻 東巳

  上智大学理工学部

• 小松 悠二

  上智大理工

• 井川 雄介

  上智大理工

• 田中 譲

  上智大学理工学部

• 幸山 和晃

  上智大理工

• 酒井 優

  上智大学理工学部

• 岸野 克己

  上智大理工

• 加藤 圭

  上智大学理工学部

• 光野 徹也

  上智大理工:crest-jst

• 三井 真太郎

  上智大理工

• 岩谷 龍治

  上智大理工

• 神山 幸一

  上智大学理工学部

• 青木 伸之

  千葉大院融合

• 落合 勇一

  千葉大院融合

• 落合 勇一

  千葉大工

• 落合 勇一

  千葉大自然

• 青木 伸之

  千葉大学融合

• 斎木 敏治

  慶大理工

• 光野 徹也

  上智大理工

• 斎木 敏治

  神奈川科学技術アカデミー

• 征矢 隆宏

  上智大理工

• 大槻 東巳

  上智ナノテク研

• 江馬 一弘

  上智ナノテク研

• 酒井 優

  上智ナノテク研

• 菊池 昭彦

  上智ナノテク研

• 岸野 克巳

  上智ナノテク研

• 井上 昌弥

  上智大理工

• 鈴木 直樹

  上智大理工

• 村本 浩介

  上智大理工

• 中田 洋平

  北大電子研

• 石沢 峻介

  上智大理工:crest-jst

• 斎木 敏治

  慶応大 理工

• SATO Tetsuya

  National Institute for fusion Science

• Ochiai Yukinori

  Crest-jst

• Ochiai Yukinori

  Faculty Of Engineering Science Osaka University

• Ochiai Yukinori

  System Devices And Fundamental Research Nec Corporation

• 斎木 敏治

  慶應義塾大学理工学部 神奈川科学技術アカデミー

• 加藤 雄也

  上智大理工

• 安藤 豪紀

  上智大理工

• 中田 洋平

  上智大理工

• 落合 勇一

  千葉大総合

• 青木 伸之

  千葉大総合

• 佐藤 輔

  上智大理工

• OCHIAI Yuichi

  Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University

• Vadivelu Ramesh

  上智大理工

• 下迫 直樹

  上智大理工

• 落合 勇一

  千葉大工:千葉大

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 薫雄

  琉球大学医学部器官病態医科学講座皮膚科

• 林 達哉

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 原 和彦

  静岡大学電子工学研究所

• 石沢 峻介

  上智大理工

• 橋本 雅文

  上智大理工

• 福永 和哉

  上智大理工

• 棒田 英之

  上智大理工

• 欅田 英之

  上智大学理工学部

• 酒井 優

  山梨大学大学院医学工学総合研究部先端領域若手研究リーダー育成拠点

• 石沢 峻介

  上智大学理工学部

• 山野 晃司

  上智大学理工学部

• 清水 亜希恵

  上智大理工

• 棒田 英之

  上智大理工:crest-jst

• 生井 達也

  上智大理工

• 家近 幸子

  上智大理工

• 亀谷 龍馬

  上智大学理工

• 欅田 英之

  上智大学理工:上智ナノテク

• 江馬 一弘

  上智大理工:上智ナノテク

• 岸野 克巳

  上智大理工:上智ナノテク

• 菊池 昭彦

  上智大理工:上智ナノテク

• 光野 徹也

  静岡大学電子工学研究所

• 酒井 優

  山梨大学医学工学総合研究部

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著作論文

• 22pPSB-35 窒化物半導体ナノコラム結晶を用いた新規発光デバイスの研究(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 27aPS-93 一次元フォトニック配列したGaNナノウォールからの第二次高調波発生(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(フォトニック結晶,領域5,領域1合同,領域5,光物性)
• 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 28pPSA-62 InAlNおよびInNナノコラムの発光特性(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 28aVD-5 ランダム配置誘電体円柱における光のアンダーソン局在(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 28aVD-5 ランダム配置誘電体円柱における光のアンダーソン局在(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 21aYH-6 ランダム配置GaNナノコラムにおける光のアンダーソン局在(21aYH 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 23pYJ-7 GaNナノコラム結晶の発光特性(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aPS-18 InGaN/GaNナノコラム結晶の発光特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 26aPS-57 GaNナノコラム集団における光の伝搬特性II(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 27aPS-74 GaNナノコラムの高圧下ラマン散乱(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• RF-MBE法を用いたGaN/AlGaN紫外ナノコラムLEDの成長と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 光のアンダーソン局在の直接観察
• 25aRE-4 半導体円柱集団における光局在特性(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 25aRE-4 半導体円柱集団における光局在特性(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• RF-MBE法を用いたTiマスク選択成長による規則配列InGaN/GaNナノコラムの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 25pPSB-45 GaNナノウォールと規則配列GaNナノコラムにおける表面フォノンのラマン散乱(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 23aYJ-7 GaNナノコラム結晶のプラズモンによるラマン散乱II(微粒子・ナノ結晶・低次元物質,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 窒化物半導体ナノコラムの光学特性 (特集 ナノ材料の光科学最前線)
• C-4-5 InGaN/GaN MQWナノコラムを用いた緑色発光デバイス(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 25aHB-8 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(25aHB 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aHB-8 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(25aHB 領域5,領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 25pPSA-28 GaNナノ構造における表面フォノンのラマン散乱(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 26aPS-89 1本のGaNナノコラムの電気伝導(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pPSA-29 1本のGaNナノコラムの顕微ラマン散乱(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 21pPSA-6 1本のGaNナノコラムの電気伝導II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 23pTN-10 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 21pPSA-60 GaNナノ構造における表面フォノンのラマン散乱II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 21pPSA-59 1本のGaNナノコラムの顕微ラマン散乱II(21pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 23pTN-10 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 26pSA-2 ELO成長法におけるInNの光学特性(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 18aPSB-46 2次元転送行列法による光のアンダーソン局在の数値解析(18aPSB 領域5 ポスターセッション(励起子・光誘起相転移・低次元ほか),領域5(光物性))
• 26aEH-11 窒化物半導体ナノコラムにおけるレーザー発振(26aEH 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26aEH-11 窒化物半導体ナノコラムにおけるレーザー発振(26aEH 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域5(光物性))
• 28pPSB-67 2次元集団効果による光のアンダーソン局在の数値解析(28pPSB 領域5ポスターセッション(放射光・励起子・フォトニック結晶・超高速現象ほか),領域5(光物性))
• 六角形状GaNマイクロディスク結晶における光共振機構の検証(発光型/非発光型ディスプレイ)
• 27aDA-12 窒化物半導体ナノコラムにおける光局在とレーザー発振(フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域5,領域1合同,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 26pPSB-49 2次元系における光のアンダーソン局在の転送行列法を用いた数値解析(放射光,光電子分光,発光,非線形,フォトニック結晶,その他,領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 27aDA-12 窒化物半導体ナノコラムにおける光局在とレーザー発振(フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域5,領域1合同,領域5(光物性))

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