落合 勇一 | 千葉大工:千葉大
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概要
関連著者
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落合 勇一
千葉大工:千葉大
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青木 伸之
千葉大院融合
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落合 勇一
千葉大院融合
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落合 勇一
千葉大工
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落合 勇一
千葉大自然
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Ochiai Yukinori
System Devices And Fundamental Research Nec Corporation
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青木 伸之
千葉大学融合
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Ochiai Yukinori
Crest-jst
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Ochiai Yukinori
Faculty Of Engineering Science Osaka University
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OCHIAI Yuichi
Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University
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バード J.P.
バッファロー大
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バード J.
千葉大学融合
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バード J.P.
筑波大物質工
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J.p. バード
理研
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土井 達也
千葉大院融合
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小山 恭平
千葉大院融合
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落合 勇一
千葉大学融合
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小山 恭平
千葉大学院融合
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土井 達也
千葉大学院融合
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バード J.
ニューヨーク州立大
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アカラム M.
千葉大院融合
-
バード J.
バッファロー大
-
アカラム M.
千葉大工
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木田 理夫
千葉大院融合
-
伊藤 慶
千葉大院融合
-
矢萩 達朗
千葉大院融合
-
前田 賢治
千葉大院融合
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フェリー D.
Zrizona州立大ナノ研
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下園 俊介
千葉大院融合
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阿部 拓斗
千葉大工
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渋谷 薫
千葉大院融合
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フェリー D.
アリゾナ州大
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本岡 正太郎
千葉大院融合
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清野 篤郎
千葉大院融合
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中西 毅
産総研
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Bird J.
Univ. at Buffalo
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渋谷 薫
千葉大院融合科学研究科
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黒江 晴彦
上智大理工
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関根 智幸
上智大理工
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菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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関根 智幸
上智大理工:crest-jst
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岸野 克巳
上智大理工
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石橋 幸治
理研
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岸野 克巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構
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フェリー D.
アリゾナ州立大
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中田 洋平
北大電子研
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菊池 昭彦
上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
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大上 真由
千葉大院融合
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青木 伸之
千葉大学院融合
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落合 勇一
千葉大学院融合
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浅野 均
千葉大院融合
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加藤 雄也
上智大理工
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安藤 豪紀
上智大理工
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中田 洋平
上智大理工
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落合 勇一
千葉大総合
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青木 伸之
千葉大総合
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項 少華
千葉大院融合
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Xiao S.
ニューヨーク州立大
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尾松 孝茂
千葉大院融合
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宮本 克彦
千葉大院融合
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魏 小均
千葉大院融合
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Sekine Toshiaki
Department Of Radioisotopes Japan Atomic Energy Research Institute
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菊池 昭彦
上智大理工:CREST-JST:上智ナノテク
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富樫 祐子
千葉大院融合
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遠藤 孝
千葉大学融合
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清野 篤朗
千葉大院融合
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遠藤 孝
千葉大院融合科学研究科
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青木 伸之
千葉大工
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青柳 克信
理研
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山口 智弘
理研
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宮本 克彦
理化学研究所 仙台
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尾松 孝茂
千葉大学大学院 融合科学研究科
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宮本 克彦
千葉大学大学院融合科学研究科
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大西 大介
千葉大工
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岩瀬 義和
千葉大工
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尾松 孝茂
千葉大学大学院融合科学研究科
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邱 巧縁
千葉大院融合
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湯村 成一
千葉大院融合
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籾山 大輝
千葉大院融合
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松永 正広
千葉大院融合
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藤 和俊
千葉大院融合
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阿部 拓斗
千葉大院融合
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磯 優平
千葉大工
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生井 達也
上智大理工
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鈴木 信一
千葉大院融合
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磯 優平
千葉大院融合
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大内 隆寛
千葉大院融合
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フェリー D.K.
アリゾナ州大
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武田 明大
千葉大院融合
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P.Bird J.
Arizona州立大ナノ研
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林 立弘
千葉大
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青木 伸之
千葉大工:千葉大
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渡邊 孝太郎
千葉大工
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K.Ferry D.
Arizona州立大ナノ研
著作論文
- 25aRA-10 UV重合C_ナノウィスカーのESRによるFET耐大気性評価(25aRA フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aRA-6 SWNTを用いた薄膜FETのSGM評価(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aRA-5 単層カーボンナノチューブを用いたリング素子の作製(23aRA ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aXA-12 グラフェンにおける伝導度ゆらぎの解析とバックゲート依存性(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 23aXA-3 スプリットゲートとエッチングゲートの量子細線における低温電気伝導(23aXA 量子細線・グラフェン,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
- 25aHD-12 半導体量子細線における磁場依存性と解析(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pTB-3 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pTJ-5 垂直配向型フラーレンウィスカーの成長分析および電気特性(26pTJ フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pTJ-2 フラーレンナノウィスカーUV重合体のESRによる評価(26pTJ フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 25aHD-2 グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性(25aHD グラフェン・量子細線,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26aPS-89 1本のGaNナノコラムの電気伝導(26aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pTB-2 走査ゲート顕微法によるSWNTネットワークFETの動作機構の検討(25pTB ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTD-10 フラーレンナノウィスカーの電子物性と結晶成長条件(21aTD フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aTD-9 光渦照射によるC_薄膜の光重合化(21aTD フラーレン,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21pPSA-6 1本のGaNナノコラムの電気伝導II(21pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTM-3 半導体量子細線における磁場依存性と解析II(21aTM 量子細線・接合系(量子細線・微小接合・ジョセブソン接合),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTG-9 走査ゲート顕微法によるSWNTネットワークFETの動作機構の検討II(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 22aTL-6 グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性II(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aTG-5 多層カーボンナノチューブにおける角度依存磁気抵抗の評価II(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pDK-10 グラフェンを用いた高周波検出デバイスの可能性(グラフェン(輸送特性・電子構造),領域4,領域7合同,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 24pXP-3 結合量子ドットにおける伝導度ゆらぎの解析(24pXP 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))