22aTL-6 グラフェンデバイスにおける磁気伝導とバックゲート依存性II(22aTL グラフェン/ディラック電子系,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2011-08-24

著者

• 青木 伸之

  千葉大院融合

• 落合 勇一

  千葉大院融合

• 落合 勇一

  千葉大工

• 落合 勇一

  千葉大自然

• アカラム M.

  千葉大工

• バード J.P.

  バッファロー大

• 青木 伸之

  千葉大学融合

• バード J.P.

  筑波大物質工

• フェリー D.

  Zrizona州立大ナノ研

• バード J.

  千葉大学融合

• 阿部 拓斗

  千葉大工

• アカラム M.

  千葉大院融合

• バード J.

  バッファロー大

• J.p. バード

  理研

• Ochiai Yukinori

  Crest-jst

• Ochiai Yukinori

  Faculty Of Engineering Science Osaka University

• Ochiai Yukinori

  System Devices And Fundamental Research Nec Corporation

• フェリー D.

  アリゾナ州大

• 阿部 拓斗

  千葉大院融合

• 磯 優平

  千葉大工

• OCHIAI Yuichi

  Department of Electronics and Mechanical Engineering, Chiba University

• 落合 勇一

  千葉大工:千葉大

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