猪瀬 裕太 | 上智大理工:crest-jst

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概要

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関連著者

• 江馬 一弘

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 猪瀬 裕太

  上智大理工:crest-jst

• 菊池 昭彦

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 猪瀬 裕太

  上智大理工

• 岸野 克巳

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 酒井 優

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 江馬 一弘

  上智大理工

• 大槻 東巳

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 菊池 昭彦

  上智大理工:CREST-JST:上智ナノテク

• 岸野 克己

  上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構

• 菊池 昭彦

  上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻

• 岸野 克巳

  上智大理工

• 大槻 東巳

  上智大理工

• 欅田 英之

  上智大理工

• 欅田 英之

  上智ナノテク研

• 関口 寛人

  上智大理工:crest-jst

• 関口 寛人

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• 大槻 東巳

  上智大理工:上智ナノテク

• 関口 寛人

  上智大理工

• 酒井 優

  山梨大院医工

• 江馬 一弘

  上智大学理工:上智ナノテク

• 幸山 和晃

  上智大理工

• 井上 昌弥

  上智大理工

• 鈴木 直樹

  上智大理工

• 酒井 優

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• 岸野 克巳

  上智大学理工学部

• 猪瀬 裕太

  上智大学理工学部

• 江馬 一弘

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• 大槻 東巳

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• 猪瀬 裕太

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• 岸野 克巳

  上智大学理工:上智ナノテク

• 菊池 昭彦

  上智大学理工学部

• 関口 寛人

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• 酒井 優

  上智大学理工学部

• 岸野 克己

  上智大理工

• 菊池 昭彦

  上智大学理工:上智ナノテク

• 斎木 敏治

  慶大理工

• 斎木 敏治

  神奈川科学技術アカデミー

• 征矢 隆宏

  上智大理工

• 新井 悠子

  上智大理工

• 大槻 東巳

  上智ナノテク研

• 江馬 一弘

  上智ナノテク研

• 酒井 優

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• 菊池 昭彦

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• 岸野 克巳

  上智ナノテク研

• 斎木 敏治

  慶応大 理工

• SATO Tetsuya

  National Institute for fusion Science

• 斎木 敏治

  慶應義塾大学理工学部 神奈川科学技術アカデミー

• 石沢 峻介

  上智大理工

• 光野 徹也

  上智大理工

• 山野 晃司

  上智大理工

• 棒田 英之

  上智大理工

• 檸田 英之

  上智大理工

• 酒井 優

  山梨大学大学院医学工学総合研究部先端領域若手研究リーダー育成拠点

• 光野 徹也

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• 石沢 峻介

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• 山野 晃司

  上智大学理工学部:jstクレスト

• 棒田 英之

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著作論文

• 22pPSB-35 窒化物半導体ナノコラム結晶を用いた新規発光デバイスの研究(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 27aPS-93 一次元フォトニック配列したGaNナノウォールからの第二次高調波発生(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(フォトニック結晶,領域5,領域1合同,領域5,光物性)
• 26pXB-7 誘電体円柱集団における光局在特性(領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 28aVD-5 ランダム配置誘電体円柱における光のアンダーソン局在(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 28aVD-5 ランダム配置誘電体円柱における光のアンダーソン局在(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 28aVD-4 GaNナノコラム集団における光のアンダーソン局在の直接観察(28aVD 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 21aYH-6 ランダム配置GaNナノコラムにおける光のアンダーソン局在(21aYH 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 23pYJ-7 GaNナノコラム結晶の発光特性(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aPS-18 InGaN/GaNナノコラム結晶の発光特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 26aPS-57 GaNナノコラム集団における光の伝搬特性II(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 23pPSA-79 GaNナノコラム結晶の発光特性II(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 23pPSB-29 GaNナノコラム集団における光の伝搬特性(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19pPSB-10 GaNナノコラム結晶の光学特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25aPS-27 GaNおよびInGaN/GaNナノコラム結晶の光学特性(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• GaNナノコラムにおけるランダムレージング(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
• 光のアンダーソン局在の直接観察
• 25aRE-4 半導体円柱集団における光局在特性(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 25aRE-4 半導体円柱集団における光局在特性(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aRE-3 GaNナノコラムにおけるランダムレーザーの特性評価(25aRE 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aHB-8 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(25aHB 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 25aHB-8 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(25aHB 領域5,領域1合同フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 23pTN-10 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域5(光物性))
• 23pTN-10 半導体円柱集団における光のアンダーソン局在(23pTN 領域5,領域1合同 フォトニック結晶,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))

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