神村 淳平 | 上智大学理工

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概要

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関連著者

• 菊池 昭彦

  上智大学理工:上智ナノテク

• 神村 淳平

  上智大学理工

• 岸野 克巳

  上智大学理工:上智ナノテク

• 岸野 克巳

  上智大学理工学部

• 神村 淳平

  上智大学理工学部

• 菊池 昭彦

  上智大学理工学部

• 岸野 克巳

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 菊池 昭彦

  上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻

• 菊池 昭彦

  上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研

• 岸野 克己

  上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構

• 神山 幸一

  上智大学理工学部

• 神村 淳平

  上智大理工

• 猪瀬 裕太

  上智大学理工学部

• 欅田 英之

  上智大学理工学部

• 江馬 一弘

  上智大学理工:上智ナノテク

• 亀谷 龍馬

  上智大学理工

• 欅田 英之

  上智大学理工:上智ナノテク

• 猪瀬 裕太

  上智大学理工

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著作論文

• Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
• 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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• 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価
• 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価
• 26pSA-2 ELO成長法におけるInNの光学特性(26pSA 領域4 ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価

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