神村 淳平 | 上智大理工
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概要
関連著者
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神村 淳平
上智大理工
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菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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神村 淳平
上智大学理工学部
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岸野 克巳
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構
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菊池 昭彦
上智大学 大学院理工学研究科 電気電子工学専攻
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菊池 昭彦
上智大学理工学部
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岸野 克巳
上智大学理工学部
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菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
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神村 淳平
上智大学理工
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岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
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幸山 和晃
上智大理工
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江馬 一弘
上智大理工
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岸野 克巳
上智大理工
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欅田 英之
上智大理工
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橋本 雅文
上智大理工
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江馬 一弘
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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欅田 英之
上智ナノテク研
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福永 和哉
上智大理工
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菊池 昭彦
上智大理工:CREST-JST:上智ナノテク
著作論文
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 28pPSA-62 InAlNおよびInNナノコラムの発光特性(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 23pPSB-31 InNナノコラムにおけるバンドギャップとキャリア濃度の評価(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- Moマスク選択成長法を用いた高品質規則配列InN結晶のMBE成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価 (電子デバイス)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 近赤外1.46μm発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価 (電子部品・材料)