RF-MBE法による光通信波長域InGaNダブルヘテロ構造の成長(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
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概要
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窒化物半導体であるInNの高品質化が進み、その禁制帯幅が長い間信じられてきた1.9eVよりもはるかに小さく、0.65〜0.8eVであることがわかってきた。このためInNをベースとする近赤外域の光通信用デバイスなど、新しい分野への応用が期待され始めている。本研究ではRFプラズマで励起した窒素ガスを原料とする分子線エピタキシー (RF-MBE)法を用いてサファイア基板上にIII族組成を変化させて高In組成InGaNを成長し、光学特性について評価を行った。また光通信用発光デバイスの実現に向けて、高In組成InGaNを用いたダブルヘテロ構造を成長し、1.45μmにおいて井戸層からのPL発光が確認された。高In組成InGaNの多重量子井戸構造を成長し、室温PL発光波長から量子シフトも確認した。さらに、InNの屈折率を算出し、波長1.8〜2.5μmにおいて2.7〜2.55と見積もられた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-10-15
著者
-
菊池 昭彦
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大学理工学部
-
大橋 達男
上智大学理工学部
-
光野 徹也
上智大学理工学部
-
光野 徹也
上智大理工:crest-jst
-
石沢 峻介
上智大学理工学部
-
石沢 峻介
上智大理工:crest-jst
-
菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
-
岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
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