GaNの極微細構造の成長とAIGaNのシャッター制御法によるAI組成制御
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概要
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我々はRFラジカル窒素源を用いたRF-MBE法によりサファイア基板上への窒化物半導体極微細量子構造デバイスの作製を目指した研究を行っている。本報告では結晶成長条件を制御することにより、基板に垂直な軸を持ち、互いに独立かつ太さの均一な柱状GaN微細構造が再現性良く成長可能であることを見い出し、その形状の窒素流量およびRF入力電力依存性を調べた。柱状GaNの直径は最小径が53nmであった。次に、MBE法によるデバイス作製上有効な手法となり得る超短周期GaN/AIN超格子構造による擬似AIGaN三元混晶の組成制御と同手法を用いたGaN/AIGaN/AIGaN-SCH構造の試作を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-01-16
著者
-
菊池 昭彦
上智大学理工学部
-
岸野 克巳
上智大学理工学部
-
藤田 信彦
上智大学 理工学部 電気電子工学科
-
森 雅士
上智大学理工学部電気電子工学科
-
吉澤 正樹
上智大学理工学部電気電子工学科
-
藤田 信彦
上智大学理工学部電気電子工学科
-
森 雅士
上智大学 理工学部 電気電子工学科
-
吉澤 正樹
上智大学 理工学部 電気電子工学科
-
菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
-
岸野 克巳
上智大学理工:上智ナノテク
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