Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

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概要

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• 格子整合系III-V-N/Siの発光素子構造において、Siと格子整合した低屈折率混晶があれば光閉じ込め構造作製に応用できる。そこでSi格子整合系の低屈折率混晶としてAlGaPN混晶の成長条件確立を目指し、N組成の成長温度依存性とAl組成依存性に関する知見を得た。また反射スペクトルよりAlGaPN混晶の屈折率を明らかにし、AlGaPN/GaPNの光閉じ込め構造の設計と分布ブラッグ反射鏡の試作を行った。

• 2011-05-12

著者

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学

• 関口 寛人

  上智大理工:crest-jst

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学電気・電子工学系

• 山根 啓輔

  豊橋技術科学大学電気・電子工学課程

• 関口 寛人

  上智大理工:jst-crest

• 河合 剛

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 熊谷 啓助

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 小路 耕平

  豊橋技術科学大学電気・電子情報工学専攻

• 関口 寛人

  豊橋技術科学大学

• 熊谷 啓助

  豊橋技術科学大学

• 岡田 浩

  豊橋技術科学大学 工学部

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