カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
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概要
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カーボンナノチューブ(CNT)の基板面内方向での位置制御を行うための金属触媒構造を提案した。化学気相堆積法(CVD)による、CNT成長において、触媒金属(Ni)と不活性膜を組み合わせ、触媒金属の電極間にCNTを成長させる成長条件を検討した。成長温度や材料ガス流量の成長条件の検討をすることによってCNT以外の余分なカーボンの生成が抑制された。また、一本のCNTの低温から室温における電流一電圧特性の評価を行い、CNTはP型の半導体的な振る舞いを観測した。また、低温領域においては高抵抗化していく傾向が見られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-05-09
著者
-
吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
-
吉田 明
豊橋技科大
-
滝川 浩史
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
岡田 浩
豊橋技術科学大学
-
井上 勉
豊橋技術科学大学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子工学系
-
吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
吉田 明
神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム
-
小林 貴行
豊橋技術科学大学
-
藤村 洋平
豊橋技術科学大学
-
滝川 浩史
豊橋技術科学大学
-
若原 昭浩
豊橋技術科学大学電気・電子情報工学
-
藤村 洋平
双葉電子工業
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
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