Si基板上へのCuIn_xGa_<1-X>Se_2薄膜の作製
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
タンデム型太陽電池を目的として、Si(100),(110)および(111)基板上に基板温度を室温から400℃まで変化させて、高周波スパッタ法によりCuIn_xGa_1-X>Se_2薄膜を作製した。EPMA分折の結果、作製した薄膜の組成はストイキオメトリーに近いが、基板温度の上昇とともにCu、InとSeの若干の減少が観測された。XPS測定から、深さ方向の組成分布は均一であった。X線回折の結果。薄膜はすべてカルコパイライト構造を示した。さらに、Si基板の面方位に依存せず、基板温度の上昇とともに(112)面に強く配向し、結晶性が改善された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-05-19
著者
-
吉田 明
豊橋技術科学大学工学部
-
吉田 明
豊橋技科大
-
吉田 明
豊橋技術科学大学 電気・電子工学系
-
山本 幸男
福井工業高等専門学校
-
山口 利幸
和歌山高専
-
山口 利幸
和歌山工業高等専門学校電気工学科
-
出水 康崇
豊橋技術科学大学 工学部
-
鈴木 正義
和歌山工業高等専門学校
-
山本 幸男
福井工業高等専門学校 電気工学科
-
鈴木 正義
和歌山工高専
-
山口 利幸
和歌山工業高等専門学校
-
吉田 明
豊橋技術科学大学
関連論文
- 乳癌術前化学療法後のER, PgR, HER2の変化についての検討
- HP-128-1 甲状腺濾胞癌および乳頭癌骨転移例の特徴(甲状腺1,ハイブリッドポスター,第109回日本外科学会定期学術集会)
- 27pC5 有機金属を原料としたシンクロトロン放射光照射によるZnTeのエピタキシャル成長(気相成長III)
- TMIを用いたInPのMOCVD成長 : エピタキシー
- ミスオリエンテーション基板上へのGaP液相成長表面波模様と非発光領域
- OP-039-3 乳癌センチネルリンパ節生検におけるOSNA法の有用性の検討(乳癌センチネル-5,一般口演,第110回日本外科学会定期学術集会)
- OP-241-1 早期乳癌に対する術後補助療法としてのTC療法の認容性(乳癌治療・他-8,一般口演,第110回日本外科学会定期学術集会)
- 真空紫外光励起CVDによるZn,ZnOの薄膜の作製と評価
- SF-007-4 甲状腺濾胞癌におけるN-RAS変異の意義(第108回日本外科学会定期学術集会)
- 動注を中心とした集学的治療が有効であった甲状腺未分化癌の1例
- 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
- 真空紫外光による金属吸着及び薄膜成長初期過程に関する研究
- WS-5-5 「未分化癌コンソーシアム」設立の意義と現状について(難治性内分泌癌(甲状腺未分化癌,再発甲状腺分化癌,副腎癌,Neuroendocrine tumor)の治療戦略,ワークショップ(5),第110回日本外科学会定期学術集会)
- WS-5-4 「甲状腺未分化癌コンソーシアム」における未分化癌長期生存例の検討(難治性内分泌癌(甲状腺未分化癌,再発甲状腺分化癌,副腎癌,Neuroendocrine tumor)の治療戦略,ワークショップ(5),第110回日本外科学会定期学術集会)
- 日本における乳頭癌初期治療の現状と改善点
- ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- HVPE法によるNGO基板上のGaN厚膜基板の成長 : 半導体レーザ用GaN基板の開発(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状、及び一般)
- 甲状腺癌 (特集 必読 セカンドオピニオン) -- (乳腺・内分泌・体表)
- 序 : 特集に寄せて
- 甲状腺疾患領域
- ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ZnGeN_2エピタキシャル薄膜の光学的特性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- GaNに添加したEu発光の耐放射線性と耐放射環境用発光デバイス応用の可能性
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- 単結晶CuInSe_2薄膜の電子線照射欠陥の評価(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Tbをイオン注入したGaNの発光特性(III族窒化物研究の最前線)
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- Euをイオン注入したGaNの発光特性
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- CuInSe_2薄膜のイオン注入による不純物導入効果
- アルカリ金属添加CuIuSe_2薄膜の構造と光学的特性
- アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
- アルカリ金属添加CuInSe_2薄膜の構造と光学的特性
- レーザーアブレーション法によるカルコパイライト薄膜の作製
- AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- AlInN混晶の成長と光学特性の評価(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- レーザーアブレーション法によるCuInSe_2CdSダイオードの作製
- レーザーアブレーション法によるCuInSe_2/CdSダイオードの作製
- レーザーアブレーション法によるCuInSe_2/CdSダイオードの作製
- マイクロ波励起リモートプラズマによる窒化インジウムエピタキシャル成長
- 窒化基板上へのInNエピタキシャル成長
- 日本の「甲状腺腫瘍診療ガイドライン」--使命,開発,未来像 (特集 甲状腺腫瘍の診療ガイドライン)
- カリキュラム : 甲状腺
- A1_2O_3(11-20)基板上へのInNへテロエピタキシャル成長
- 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
- Al_2O_3(11-20)基板上へのInNヘテロエピタキシャル成長
- 真空紫外光励起による半導体表面光化学反応の基礎研究
- Al_2O_3(11-20)基板上へのInNヘテロエピタキシャル成長
- NdGaO_3基板上へのGaNハイドライド気相エピタキシー : バルク成長シンポジウム
- 窒化物半導体における欠陥準位密度の理論的解析
- II-VI族化合物半導体結晶成長の光励起過程に関する理論解析
- マイクロ波プラズマMOVPE法によるナイトライド系化合物半導体の作製と評価
- モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- モノメチルシランを用いたAlGaNの伝導性制御に関する研究(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- カーボンナノチューブの基板面内方向における位置制御形成の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- CuInSe_2薄膜の放射線照射損傷とアニール効果の検討(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- ナノ粒子ZnOを用いた色素増感太陽電池の作製と評価
- 甲状腺腫瘍の治療 甲状腺腫瘍の組織型別治療方針 甲状腺濾胞癌 (内分泌腺腫瘍--基礎・臨床研究のアップデート) -- (甲状腺腫瘍)
- (5)半導体集積回路の社会人教育(第2セッション 社会人技術者のリフレッシュ教育(II))
- アモルファス太陽電池用材料の光劣化現象
- シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
- シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
- リモートプラズマプロセスによるSi低温エピタキシャル成長
- リモートプラズマプロセスによるSi低温エピタキシャル成長
- リモートプラズマプロセスによるSi低温エピタキシャル成長
- リモートプラズマCVDによる低温Siエピタキシャル成長
- リモートプラズマCVDによるSi薄膜の低温成長
- シンクロトロン放射光を用いたテフロン薄膜の作製と評価
- エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
- CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
- エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
- CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
- エピタキシャルAl_2O_3を中間層に用いたSi基板上へのGaN有機金属気相エピタキシャル成長
- CuInSe_2薄膜の電子線照射効果の検討
- 格子歪をうけたβ-FeSi_2のバンド構造の理論的検討
- ZnO薄膜の伝導型制御
- 格子歪をうけたβ-FeSi_2のバンド構造の理論的検討
- ZnO薄膜の伝導型制御
- ZnO薄膜の伝導型制御
- レーザーアブレーション法によるZnO薄膜の作製
- レーザーアブレーション法によるZnO薄膜の作製
- レーザーアブレーション法によるZnO薄膜の作製
- リモートプラスマCVDによる低温Siエピタキシャル成長
- Si基板上へのCuIn_xGa_Se_2薄膜の作製
- ブタンガスによるa-C : H膜の作成
- InN薄膜成長と特性評価 : 招待講演