NdGaO_3基板上へのGaNハイドライド気相エピタキシー : バルク成長シンポジウム

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概要

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• GaN thick film was grown on NdGaO_3 substrate by the HVPE process. To prevent the decomposition of NdGaO_3 substrate by NH_3, a low-temperature-grown GaN protective layer and annealing in N_2 atmosphere were effective. By optimizing the growth conditions, a freestanding GaN wafer with a 2-inch-scale was achieved. Both plan-view TEM and CL images suggested that the dislocation density of freestanding GaN wafers could be expected to be as low as 10^6cm^<-2>. The PL spectrum indicated strong near-band-edge emission without deep-level related emission. The results indicated that 2-inch-scale GaN wafers with low defect density were achieved using this growth method.

• 日本結晶成長学会の論文
• 2000-07-01

著者

• 吉田 明

  豊橋技科大

• 若原 昭浩

  豊橋技術科学大学

• 吉田 明

  神奈川県立がんセンター乳腺甲状腺外科:甲状腺未分化癌コンソーシアム

• 関 洋二

  ジャパンエナジー

• 甲斐荘 敬司

  ジャパンエナジー精製技術センター

• 若原 昭浩

  豊技大

• 吉田 明

  豊技大

• 小田 修

  ジャパンエナジー

• 甲斐荘 敬司

  日鉱マテリアルズ

• 小田 修

  名古屋工業大学

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